Research and Development of silicon semiconductor detector technologies for measuring momentum in very high radiation environments

研究和开发用于在极高辐射环境中测量动量的硅半导体探测器技术

• 批准号: 20244038
• 负责人: UNNO Yoshinobu
• 金额: $ 21.63万
• 依托单位: High Energy Accelerator Research Organization
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20244038/
• 关键词: 粒子測定技術; 素粒子実験; デバイス設計・製造プロセス; 放射線・X線・粒子線; 国際協力

Technologies for highly radiation tolerant p-type silicon semiconductor position measuring detectors are established. Silicon microstrip sensors were evaluated up to a flunece of 10**15 1-MeV neutrons-equivalent (neq)/cm**2 and pixel sensors to 10**16. Irradiation dependence of various structures and charge collection were demonstrated. Optimization of structures in detail with hot electron analyses and TCAD simulation achieved holding 1 kV bias voltage before irradiation. New, high-density, high-thermal conductivity and light-weight hybrids were fabricated and double-side modules were constructed and thermal and electrical performance was evaluated.

建立了高耐辐射p型硅半导体位置测量探测器技术。硅微带传感器的通量可达10**15 1-MeV中子当量(neq)/cm**2，像素传感器的通量可达10**16。证明了各种结构和电荷收集的辐照依赖性。通过热电子分析和TCAD仿真对结构进行了详细优化，实现了在辐照前保持1 kV偏置电压。制备了高密度、高导热和轻质的新型混合材料，构建了双面模块，并对其热学和电学性能进行了评估。

项目成果

SLHC upgrade of the ATLAS SCT Tracker

ATLAS SCT 追踪器的 SLHC 升级

• 发表时间: 2010
• 期刊: Nucl.Instr.Meth. A612
• 作者: Y.Ikegami;他;Y.Unno et al.;Y.Unno
• 通讯作者: Y.Unno

Development of silicon strip module for very high radiation environment

开发适用于极高辐射环境的硅带模块

• 发表时间: 2010
• 作者: Y.Ikegami;他
• 通讯作者: 他

Development of low-mass, high-density, hybrid circuit for the silicon microstrip sensors in high track density environment

高轨道密度环境下硅微带传感器的低质量、高密度混合电路的开发

• 发表时间: 2009
• 期刊: PoS RD09:021
• 作者: Y.Ikegami;T.Kohriki;S.Terada;Y.Unno;K.Hara;et al.
• 通讯作者: et al.

アトラス実験アップグレードに向けたp型ピクセルセンサーおよびストリップセンサーの陽子線照射試験

Atlas实验升级的p型像素传感器和条形传感器的质子束辐照测试

• 发表时间: 2011
• 作者: 三井真吾;他
• 通讯作者: 他

Development of n-on-p Silicon Sensors for very high radiation environment

开发适用于极高辐射环境的 n-on-p 硅传感器

• 发表时间: 2009
• 作者: Y.Unno;他
• 通讯作者: 他