Realizing of non-volatile memory with large capacity and low power consumption by metal-insulator-semiconductor junction composed by phase change material and oxide
Realizing of non-volatile memory with large capacity and low power consumption by metal-insulator-semiconductor junction composed by phase change material and oxide
利用相变材料和氧化物组成的金属-绝缘体-半导体结实现大容量、低功耗的非易失性存储器
批准号：
21K20509
负责人：
Hatayama Shogo
金额：
$2.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2021
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2021-08-30 至 2023-03-31
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金属-酸化物-相変化材料積層素子で生じる非線形電流-電圧特性
金属氧化物相变材料堆叠器件中产生的非线性电流-电压特性
金属氧化物相变材料堆叠器件中产生的非线性电流-电压特性
DOI：
--
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[畑山祥吾, 齊藤雄太]
通讯作者：
齊藤雄太
クロスポイント型メモリのセレクタ用のアモルファス材料及びクロスポイント型メモリ
交叉点存储器选择器及交叉点存储器用非晶材料
交叉点存储器选择器及交叉点存储器用非晶材料
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
金属-酸化物-相変化材料積層構造を利用したセレクタフリーメモリ素子
采用金属氧化物相变材料堆叠结构的无选择器存储器件
采用金属氧化物相变材料堆叠结构的无选择器存储器件
DOI：
--
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[畑山祥吾, 齊藤雄太]
通讯作者：
齊藤雄太
Hf-O-Te 系アモルファス薄膜の組成制御によるセレクタ機能の発現
通过控制 Hf-O-Te 基非晶薄膜的成分来表达选择器函数
通过控制 Hf-O-Te 基非晶薄膜的成分来表达选择器函数
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[畑山祥吾, 齊藤雄太, 内田紀行]
通讯作者：
内田紀行
Hf-O-Te系アモルファス薄膜の電気伝導機構
Hf-O-Te非晶薄膜的导电机理
Hf-O-Te非晶薄膜的导电机理
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[畑山祥吾, 齊藤雄太, 内田紀行]
通讯作者：
内田紀行
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