Analysis of device characteristics of organic field-effect transistor based memories by infrared and raman spectroscopy

通过红外和拉曼光谱分析有机场效应晶体管存储器的器件特性

• 批准号: 22850018
• 负责人: SAKAI Heisuke
• 金额: $ 1.83万
• 依托单位: Waseda University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-22850018/
• 关键词: 有機トランジスタ; 有機メモリー; 有機絶縁体; ラマン分光法; 赤外分光法; 有機半導体デバイス; 有機電子材料・素子; 機器分析

In this study, by using micro-raman spectroscopy, we aimed to reveal the changes in microstructure of organic molecules in active layer after the operation of organic field-effect transistor based memories. However, the results were not sufficient to indicate the changes in microstructure. Thus, infrared spectroscopy was applied as more sensitive analysis, and this technique allowed for the analysis of the changes in microstructure.And we reported the electrical properties of an organic memory device based on an organic field-effect transistor using a thin film of nylon 11 as a gate dielectric.

在本研究中，我们利用显微电子光谱技术，来揭示有机场效电晶体记忆体运作后，主动层中有机分子微结构的变化。然而，结果不足以表明微观结构的变化。因此，红外光谱作为更灵敏的分析，这一技术可以分析的微观结构的变化。我们报告的有机存储器件的电性能的基础上的有机场效应晶体管使用薄膜的尼龙11作为栅极介质。

项目成果

Inkjet printing of functional inks for organic thin film transistors

有机薄膜晶体管功能油墨的喷墨印刷

• 发表时间: 2010
• 作者: H.Sakai;K.Fukada;G.Katsuki;T.Shimoda
• 通讯作者: T.Shimoda

絶縁層中のイオンによる分極を用いた有機電界効果トランジスタのドレイン電流変調

利用绝缘层中离子极化对有机场效应晶体管的漏极电流进行调制

• 发表时间: 2011
• 期刊: 応用物理学会有機分子・バイオエレクトロニクス分科会会誌
• 作者: 酒井平祐;矢島覚;今野広大;松島敏則;村田英幸
• 通讯作者: 村田英幸

Organic nonvolatile memories based on space charge polarization effect

基于空间电荷极化效应的有机非易失性存储器

• 发表时间: 2010
• 作者: Satoru Yajima;Toshinori Matsushima;Hideyuki Murata
• 通讯作者: Hideyuki Murata

Modulating a drain current of organic field-effect transistors by polarization of gate dielectric

通过栅极电介质的极化来调制有机场效应晶体管的漏极电流

• 发表时间: 2010
• 作者: H. Sakai;Y. Furukawa;and H. Murata
• 通讯作者: and H. Murata

Highly efficient PLEDs using Polymer Blend as an Emitting Layer

使用聚合物混合物作为发光层的高效 PLED

• 发表时间: 2010
• 作者: J Abe;H.Sakai H.Murata
• 通讯作者: H.Sakai H.Murata