リチウム金属負極上のデンドライト成長に伴うLi^+イオン濃度分布の測定
リチウム金属負極上のデンドライト成長に伴うLi^+イオン濃度分布の測定
批准号:
11450285
负责人:
福中 康博
金额:
$9.6万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
1999
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1999 至 2001
中文摘要
電気自動車用電源としてリチウム金属負極の開発が急がれている。しかしながらリチウム金属の還元力は強く有機電解質との反応によりリチウム金属表面に不均一なイオン伝導性被膜SEIが形成され、負極はデンドライト成長し、電池の可逆性を保つことが不可能になる。これまでに電析Li金属のデンドライト成長とLi^+イオンの移動速度の"連結"性のような基礎的研究は試みられていない。本研究では次の3課題を検討した。l)長焦点作動型レーザー走査顕微鏡によるリチウム金属表面観察技術の開発デンドライト成長過程は電気化学プロセシングのみならずプラズマCVDプロセシングでもしばしば出現する。いずれの現象にも応用出来るように画像取り込み装置に長焦点距離対物レンズを用いて高分解能ゴニオメータを利用したレーザー走査技術と組み合わせ長焦点作動型レーザー走査顕微鏡によるリチウム金属表面電析形態観察装置を試作することを試みた。2)電気化学実験セル及びリチウム電極の試作本研究費で購入したグローボックス内に有機溶媒中からのリチウム金属電析実験セルを試作した。カールフィシャー水分分析計を用いて溶媒中の水分濃度を計測しつつ、PC-LiClO_4電解液の屈折率のLiClO_4濃度依存性を計測した。モレキュラーシーブを用いて雰囲気ガス中の水分を制御し得るシステムを作成できた。3)ホログラフィックレーザー干渉計によるLi^+イオン濃度分布の測定レーザホログラフィック干渉計を用いて定電流電解実験に伴うPC電解液中に設置したリチウム金属およびNi金属負極近傍のLi^+イオンの移動速度や表面過電圧の測定を行った。電析初期過程ではSEI生成反応に関連したと考えられる潜伏期間が現れ、電流密度が高くなるに従い、その潜伏期間は短くなった。電流密度が高い場合には、Li^+イオン濃度境界層厚さの発達過程を境界層理論で説明することが出来た。今後は長焦点作動型レーザー走査顕微鏡で電析形態のin-situ観察を行う。これら両者の結果を比較検討してLi^+イオンの移動速度とリチウム金属電析形態を"連結"することを試みる。
英文摘要
電気自動車用電源としてリチウム金属負極の開発が急がれている。しかしながらリチウム金属の還元力は強く有機電解質との反応によりリチウム金属表面に不均一なイオン伝導性被膜SEIが形成され、負極はデンドライト成長し、電池の可逆性を保つことが不可能になる。これまでに電析Li金属のデンドライト成長とLi^+イオンの移動速度の"連結"性のような基礎的研究は試みられていない。本研究では次の3課題を検討した。l)長焦点作動型レーザー走査顕微鏡によるリチウム金属表面観察技術の開発デンドライト成長過程は電気化学プロセシングのみならずプラズマCVDプロセシングでもしばしば出現する。いずれの現象にも応用出来るように画像取り込み装置に長焦点距離対物レンズを用いて高分解能ゴニオメータを利用したレーザー走査技術と組み合わせ長焦点作動型レーザー走査顕微鏡によるリチウム金属表面電析形態観察装置を試作することを試みた。2)電気化学実験セル及びリチウム電極の試作本研究費で購入したグローボックス内に有機溶媒中からのリチウム金属電析実験セルを試作した。カールフィシャー水分分析計を用いて溶媒中の水分濃度を計測しつつ、PC-LiClO_4電解液の屈折率のLiClO_4濃度依存性を計測した。モレキュラーシーブを用いて雰囲気ガス中の水分を制御し得るシステムを作成できた。3)ホログラフィックレーザー干渉計によるLi^+イオン濃度分布の測定レーザホログラフィック干渉計を用いて定電流電解実験に伴うPC電解液中に設置したリチウム金属およびNi金属負極近傍のLi^+イオンの移動速度や表面過電圧の測定を行った。電析初期過程ではSEI生成反応に関連したと考えられる潜伏期間が現れ、電流密度が高くなるに従い、その潜伏期間は短くなった。電流密度が高い場合には、Li^+イオン濃度境界層厚さの発達過程を境界層理論で説明することが出来た。今後は長焦点作動型レーザー走査顕微鏡で電析形態のin-situ観察を行う。これら両者の結果を比較検討してLi^+イオンの移動速度とリチウム金属電析形態を"連結"することを試みる。
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Y.Konishi et al.: "Electrochemical facial phenomena under microgravity Part 2 numerical analysis of the rate of ionic mass transfer accompany anodic copper dissolution"Met. Materi. Trans. B. 30B. 779-790 (1999)
Y.Konishi 等人:“微重力下的电化学面部现象第 2 部分伴随阳极铜溶解的离子传质速率的数值分析”Met。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
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通讯作者:
Y.Konishi et al.: "Metal nanowire electrodeposited with a template"Extended abstracts of MPND 2001. 1. 145-146 (2001)
Y.Konishi 等:“用模板电沉积金属纳米线”MPND 2001.1.145-146 的扩展摘要(2001)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
Y.Konishi et al.: "Copper dissolution phenomena along a vertical plane anode in CuSO_4 solution"Electrochimica Acta.. 46. 681-690 (2000)
Y.Konishi 等:“CuSO_4 溶液中沿垂直平面阳极的铜溶解现象”Electrochimica Acta.. 46. 681-690 (2000)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
Y.Konishi et al.: "Electrochemical facial phenomena under microgravity, Part 1 electrochemical dissolution of copper in drop shaft"Met. Materi. Trans. B. 30B. 99-105 (1999)
Y.Konishi 等人:“微重力下的电化学面部现象,第 1 部分:滴轴中铜的电化学溶解”Met。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
M.Ota et al.: "Lithium electrodeposition in propylene carbonate"Extended abstracts of MPND 2001. 1. 135-136 (2001)
M.Ota等人:“碳酸丙烯酯中的锂电沉积”MPND 2001.1.135-136(2001)的扩展摘要
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
共 8 条
半導体超格子膜の環境調和型マテリアルズプロセシング
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批准号:16656227
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2004
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负责人:福中 康博
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依托单位:
超強力磁場勾配下の電析反応に伴う核発生速度の計測
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批准号:13875144
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2001
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负责人:福中 康博
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依托单位:
超強力磁場勾配によるガス発生電極反応の制御
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批准号:11875163
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1999
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负责人:福中 康博
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依托单位:
傾斜機能材料の連続化プロセッシングに伴なう固気混相流に関する基礎的研究
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批准号:04650617
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1992
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负责人:福中 康博
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依托单位:
レ-ザ-照射高速成膜プロセスに関する基礎的研究
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批准号:02650481
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1990
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负责人:福中 康博
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依托单位:
粉体吹き込み金属精錬装置の連続化に関する研究-粉体溶け込み深さの解析
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批准号:59550450
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1984
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负责人:福中 康博
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依托单位:
非定常電解における垂直平板電極近傍のイオンの物質移動に関する研究
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批准号:X00210----375381
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.26万
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财政年份:1978
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负责人:福中 康博
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依托单位:
海外基金