界面電荷輸送現象解明のための高機能走査型非線形誘電率顕微鏡群の研究開発

研究和开发高性能扫描非线性介电常数显微镜以阐明界面电荷传输现象

• 批准号: 16H02330
• 负责人: 長 康雄
• 金额: $ 28.37万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16H02330/
• 关键词: 走査型非線形誘電率顕微鏡; 界面電荷輸送現象; 超高次非線形誘電率顕微鏡; 走査型非線形誘電率ポテンショメトリ; 局所DLTS法; 超高次非線形誘電率顕微鏡法; 走査型非線形誘電率ポテンショメリ

界面電荷輸送現象における諸問題の起源解明のための，新規多機能・高性能走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）群を研究開発する．具体的には局所Deep-level transient spectroscopy(DLTS)法の行えるSNDM装置と走査型非線形誘電率常磁性共鳴顕微鏡法（SNDMR）を新規に開発のする.また近年開発してきた走査型非線形誘電率ポテンショメトリ（SNDP）法や，原子分解能非接触走査型非線形誘電率顕微鏡（NC-SNDM）法，超高次走査型非線形誘電率顕微鏡法（SHO-SNDM）の更なる高度化を図りそれらを総て組み合わせ，半導体MOS界面やグラフェン/SiCの移動度低下の原因を特定し，半ば永遠の工学的問題とされて来た問題を一挙に解決できる装置群とする．ひいては界面（表面）を使った半導体デバイスや伝導デバイスの性能を飛躍的に向上させる事に貢献する事を目的とする．この目的を達成するため本年度は①超高次非線形誘電率顕微鏡法（SHO-SNDM）の更なる高度化.②原子分解能非接触SNDM(NC-SNDM)法並びに界面評価用非線形誘電率ポテンショメリ（SNDP）の高度化．③局所DLTS法の開発.を行う予定であったが研究を開始した直後，基盤研究（S）に採択され，重複制限に該当するため本基盤研究(A)は取り消しとなった．そのため実質的に研究できる期間は皆無であり，当然のことながら研究実績も一切無い.

The origin of various problems related to the interface charge transport phenomenon has been clarified, and research on a new multifunctional and high-performance walk-through nonlinear dielectric micromirror (SNDM) group has been launched. Specific situation: Deep-level transient The implementation of spectroscopy (DLTS) method and the development of new regulations for SNDM equipment and walk-through nonlinear dielectric constant magnetic resonance micromirror method (SNDMR)のする.またIn recent years, the non-linear dielectric non-linear dielectric (SNDP) method has been developed, and the non-contact non-linear dielectric micromirror (N) with atomic decomposition capability has been developed. C-SNDM) method, ultra-high-order walk-through non-linear dielectric micromirror method (SHO-SNDM), a highly advanced method, a semiconductor M The reason for the low mobility of the OS interface and SiC is specific, and the problem of half-year-old engineering is solved by one device group.ひいてはInterface (surface)をmakesったsemiconductorデバイスや伝guidanceデバイスのperformanceをに upwardさせる事にcontributionする事をpurposeとする. The goal was achieved this year: ① The ultra-high-order nonlinear dielectric micromirror method (SHO-SNDM) has been improved. ② Atomic analysis The non-contact SNDM (NC-SNDM) method can be used to improve the interface evaluation using non-linear dielectric constants (SNDP). ③ After the DLTS law of the Bureau is opened and the predetermined research is started, the basic research will be carried out ( S) に开択され, repeat the copy limit にshould するためBasic basic research (A) はtake り eliminate しとなった. The quality of the research is nothing during the period, and of course the research is nothing.