Chemistry of Non-Planar pai-Electronic Compounds of Heavier Elements Based on the Silicon-Silicon Triple Bond
Chemistry of Non-Planar pai-Electronic Compounds of Heavier Elements Based on the Silicon-Silicon Triple Bond
批准号:
24245007
负责人:
SEKIGUCHI AKIRA
金额:
$29.62万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-04-01 至 2016-03-31
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Universite de Toulouse(France)
图卢兹大学(法国)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
未来材料を創出するπ電子系の科学:第8章 典型元素不飽和結合のπ電子化学: ケイ素不飽和結合の最新化学
创造未来材料的π电子系统科学:第8章典型元素不饱和键的π电子化学:硅不饱和键的最新化学
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Ichikawa, J., 松尾 司]
通讯作者:
松尾 司
低配位ケイ素化合物の創製と機能
低配位硅化合物的制备和功能
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yuya Morimoto, Reika Kanya, Kaoru Yamanouchi, 関口 章]
通讯作者:
関口 章
ケイ素不飽和三員環シクロトリシレンと窒素不飽和種の反応性
硅不饱和三元环三硅烯与氮不饱和物质的反应性
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Toshihiro Kasama, Yutaka Hasegawa, Haruyasu Kondo, Tsutomu Ozawa, Noritada Kaji, Manabu Tokeshi, Yoshinobu Baba, 大森 悠・一戸 雅聡・関口 章]
通讯作者:
大森 悠・一戸 雅聡・関口 章
ジリチオジシレンの発生とその熱異性化
二锂硫代二硅烯的生成及其热异构化
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[登貴信, 塩崎秀二郎, 串尾聡之, 森 健, Takuro Niidome, 片山 佳樹, 関口 章]
通讯作者:
関口 章
共 84 条
Creation of Novel Unsaturated Silicon Compounds Based on a Silicon-Silicon Triply Bonded Compound
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批准号:16K05682
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.08万
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财政年份:2016
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负责人:SEKIGUCHI AKIRA
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依托单位: