Development of new diamond electron device using huge polarization charge
Development of new diamond electron device using huge polarization charge
利用巨大极化电荷开发新型金刚石电子器件
批准号：
25249054
负责人：
Koide Yasuo
金额：
$28.95万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2017-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(44)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
DOI：
10.1016/j.diamond.2013.06.005
发表时间：
2013-09
期刊：
Diamond and Related Materials
影响因子：
4.1
作者：
[Jiangwei Liu;Shaoheng Cheng;M. Liao;M. Imura;A. Tanaka;H. Iwai;Y. Koide]
通讯作者：
Jiangwei Liu;Shaoheng Cheng;M. Liao;M. Imura;A. Tanaka;H. Iwai;Y. Koide
Diamond Field Effect Transisot, Deep-UV sensor, and MEMS Devices
金刚石场效应 Transisot、深紫外传感器和 MEMS 器件
金刚石场效应 Transisot、深紫外传感器和 MEMS 器件
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[C.H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, K. Nagashio, and A. Toriumi, Y. Matsushita, T. Taniguchi and Y. Karasawa, Y. Koide]
通讯作者：
Y. Koide
III-Nitrides and Diamond Devices
III-氮化物和金刚石器件
III-氮化物和金刚石器件
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[久野伸晃, 森本勇樹, 唐沢好男, Y. Koide]
通讯作者：
Y. Koide
Microstructure and Hole Accumulation Mechanism of AlN/Diamond(111) Het erojunctions Prepared by MOVPE
MOVPE制备AlN/金刚石(111)异质结的微观结构和空穴积累机制
MOVPE制备AlN/金刚石(111)异质结的微观结构和空穴积累机制
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Imura, R. G. Banal, M. Y. Liao, J. W. Liu, Y. Koide, T. Matsumoto, N. Shibata, Y. Ikuhara]
通讯作者：
Y. Ikuhara
E and D-modes Diamond MOSFETs
E 和 D 模式金刚石 MOSFET
E 和 D 模式金刚石 MOSFET
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[李忠賢, 魯辞莽, 田畑俊行, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明, Y. Ma and Y. Yamao, Y. Koide]
通讯作者：
Y. Koide
共 35 条
海外基金