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High-resolution integrated spatial/electronic structure analysis of localized functional defects by multi-dimensional spectroscopy with reciprocal space scanning

通过多维光谱与倒易空间扫描对局部功能缺陷进行高分辨率集成空间/电子结构分析

基本信息

批准号：
26249096
负责人：
Muto Shunsuke
金额：
$ 26.71万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（187）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Growth of rectangular hollow tube crystals with rutile-type structure in supercritical fluids

DOI：
10.1088/1742-6596/500/2/022007
发表时间：
2014-05
期刊：
Journal of Physics: Conference Series
影响因子：
0
作者：
K. Niwa;H. Ikegaya;T. Taguchi;S. Muto;T. Tokunaga;M. Hasegawa
通讯作者：
K. Niwa;H. Ikegaya;T. Taguchi;S. Muto;T. Tokunaga;M. Hasegawa

Evaluation of interfacial fracture strength in micro-components with different free-edge shape

DOI：
10.1299/mej.16-00108
发表时间：
2016-08
期刊：
Mechanical Engineering Journal
影响因子：
0.5
作者：
Y. Takahashi;K. Aihara;Itaru Ashida;Kimitaka Higuchi;Yuta Yamamoto;S. Arai;S. Muto;N. Tanaka
通讯作者：
Y. Takahashi;K. Aihara;Itaru Ashida;Kimitaka Higuchi;Yuta Yamamoto;S. Arai;S. Muto;N. Tanaka

武藤研究室

武藤实验室

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

New era (?) of ultra-high voltage analytical S/TEM

超高压分析 S/TEM 的新时代 (?)

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hao Chen;Peng Han;Katsumi Hattori;Naoki Koizumi;Chie Yoshino;本堂剛・安田公一・若井史博・田中諭;嶋中貴史，小野祐輔，竹澤麻衣，野畑拓也，酒井久和;S. Muto
通讯作者：
S. Muto

白金族窒化物の高圧合成と評価

铂族氮化物的高压合成与评价

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
伊藤匡平;尾形修司;田村友幸;小林亮;丹羽健，鈴木健太郎，寺部俊紀，武藤俊介，巽一厳，水井達也，曽田一雄，亀卦川卓美，長谷川正
通讯作者：
丹羽健，鈴木健太郎，寺部俊紀，武藤俊介，巽一厳，水井達也，曽田一雄，亀卦川卓美，長谷川正

DOI：
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作者：
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作者：
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作者：
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Muto Shunsuke其他文献

Interfacial fracture initiation strength of micro-scale Si/Cu components with different geometries: Applicability of the fracture mechanics criterion

不同几何形状的微尺度Si/Cu部件的界面断裂起裂强度：断裂力学准则的适用性

DOI：
10.1016/j.engfracmech.2022.108439
发表时间：
2022
期刊：
Engineering Fracture Mechanics
影响因子：
5.4
作者：
Takahashi Yoshimasa;Kishimoto Kaname;Morii Yusuke;Arai Shigeo;Higuchi Kimitaka;Muto Shunsuke
通讯作者：
Muto Shunsuke

Measurement of nanoscale local stress distribution in phase-separated glass using scanning transmission electron microscopy-cathodoluminescence

使用扫描透射电子显微镜-阴极发光测量相分离玻璃中的纳米级局部应力分布

DOI：
10.1016/j.mtla.2019.100578
发表时间：
2020
期刊：
Materialia
影响因子：
3.4
作者：
Yamada Taiki;Ohtsuka Masahiro;Takahashi Yoshimasa;Yoshino Haruhiko;Amma Shin-ichi;Muto Shunsuke
通讯作者：
Muto Shunsuke

Advanced Measurement and Analysis Systems Using AI/ML for Next Generation Materials Development―Multifaceted View 2―

使用 AI/ML 进行下一代材料开发的先进测量和分析系统—多方面视图 2—

DOI：
10.2320/materia.61.579
发表时间：
2022
期刊：
Materia Japan
影响因子：
0
作者：
Okamoto Kazuya;Sugiyama Masaaki;Muto Shunsuke;Aoyagi Satoka;Tomiya Shigetaka
通讯作者：
Tomiya Shigetaka

Quantitative Atomic-Site Analysis of Functional Dopants/Point Defects in Crystalline Materials by Electron-Channeling-Enhanced Microanalysis

通过电子通道增强微量分析对晶体材料中的功能掺杂剂/点缺陷进行定量原子位点分析

DOI：
10.3791/62015
发表时间：
2021
期刊：
Journal of Visualized Experiments
影响因子：
0
作者：
Ohtsuka Masahiro;Muto Shunsuke
通讯作者：
Muto Shunsuke

アルミニウム合金とCFRTP積層板の異種接合の強度と破壊形態に及ぼす表面ナノ構造の影響

表面纳米结构对铝合金与CFRTP层合板异种接头强度和断口形貌的影响

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
日本複合材料学会誌
影响因子：
0
作者：
Yamada Taiki;Ohtsuka Masahiro;Takahashi Yoshimasa;Yoshino Haruhiko;Amma Shin-ichi;Muto Shunsuke;和田啓汰，大田宙起，齋藤慧，クリスティーンムンクイエスパーセン，細井厚志，川田宏之
通讯作者：
和田啓汰，大田宙起，齋藤慧，クリスティーンムンクイエスパーセン，細井厚志，川田宏之