高温における半導体表面のエッチング現象の解明

阐明高温下半导体表面的蚀刻现象

• 批准号: 12450018
• 负责人: 中山 幸仁
• 金额: $ 10.82万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2000 至 2001
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-12450018/
• 关键词: エッチング現象; 温度可変UHV-STM; ウルツ鉱型GaN表面

本研究では温度可変STMを用いてエッチング現象を高温で"その場観察"することによりエッチング現象における動的な脱璃過程の解明をおこなうためにこれまでに当研究室においてすすめられてきたUHV-STMやUHV-BEEMの開発技術、分子線エピタキシャル装置を用いた高品質のGaAs,SiC,GaNなどの化合物半導体の作成技術等の総合的な研究実績をベースにして温度可変高性能UHV-STMを設計・開発しようとするものであるが種々の事情を考慮して温度可変高性能UHV-STM装置本体はユニソク社に特注の仕様で発注しその制御用ソフトウエアーとしては定評のあるRHK社の最先端のものを用いることにした。温度可変高性能UHV-STM装置本体は昨年度末に納入されこれを立ち上げRHK社制御装置を用いて性能評価をおこなっているところである。装置立ち上げと平行して本研究では、MBE搭載の超高真空走査トンネル顕微鏡(UHV-STM)や反射高速電子回折(RHEED)・オージェ分析法をベースに、ウルツ鉱型GaN表面上でGa終端の場合とN終端の場合ついて、表面の最安定構造を明らかにしさらにはその諸表面におけるハロゲンガスの化学反応過程を調べた。そして塩素(Cl)のウルツ鉱型GaN表面上での化学反応を調べ、Ga終端面ではガス相GaCl2/N2形成によるエッチングが熱励起過程としておこるに対してN終端面ではN-2x2相の形成によりエッチングが抑制されることを明らかにした。

This study で は temperature can use - STM を い て エ ッ チ ン グ phenomenon を heat で "そ の 観 examine" す る こ と に よ り エ ッ チ ン グ phenomenon に お け る moving of glass process な の interpret を お こ な う た め に こ れ ま で に when laboratory に お い て す す め ら れ て き た UHV - STM や UHV - BEEM の 発 technology, molecular line エ ピ タ キ シ ャ を ル device with い た high-quality の GaAs, SiC, GaN な ど の compound semiconductor の made technology の 総 な research be performance of を ベ ー ス に し て temperature can - high-performance UHV STM を design, open 発 し よ う と す る も の で あ る が kind 々 の を consider し て temperature variations high-performance UHV - STM device ontology は ユ ニ ソ ク club に special note の shi others で 発 note し そ の system imperial ソ フ ト ウ エ ア ー と し て は assess の あ る の RHK clubs most apex の も の を with い る こ と に し た. Temperature can - high-performance UHV STM device ontology は yesterday at the end of the year - に into さ れ こ れ を stand on ち げ RHK club を suppression device with い て performance evaluation 価 を お こ な っ て い る と こ ろ で あ る. Device set ち げ と parallel し て in this study で は, MBE carry の ultra-high vacuum walkthrough ト ン ネ ル 顕 reflection (UHV STM) や micro high-speed electronic inflexion (RHEED) オ ー ジ ェ analysis を ベ ー ス に, ウ ル ツ 鉱 type GaN surface で Ga terminal の occasions と N terminal の occasions つ い て, surface の is the most stable tectonic を Ming ら か に し さ Youdaoplaceholder0, そ, そ, <s:1>, various surfaces におけるハロゲ, ガス, ガス, chemical reverse 応 processes を, modulation べた. そ し て salt element (Cl) の ウ ル ツ 鉱 type GaN surface で の chemical anti 応 を べ, Ga terminal face で は ガ ス phase GaCl2 / N2 formation に よ る エ ッ チ ン グ が heat excitation on process と し て お こ る に し seaborne て N terminal face で は are N - 2 x2 の form に よ り エ ッ チ ン グ が inhibit さ れ る こ と を Ming ら か に し た.