単結晶の巨大圧電性と多結晶の強靭性を併せ持つ革新的圧電トランスデューサ薄膜の創出

创建一种创新的压电换能器薄膜，结合了单晶的巨压电性和多晶的韧性

基本信息

  • 批准号：
    22H01925
  • 负责人：
    吉田 慎哉
  • 金额：
    $ 10.73万
  • 依托单位：
    Shibaura Institute of Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2022
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2022-04-01 至 2025-03-31
  • 项目状态：
    未结题

项目摘要

项目成果

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吉田 慎哉其他文献

Development of Piezoelectric Epitaxial Thin Film for High-Performance MEMS
高性能MEMS压电外延薄膜的开发
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Qi Xuanmeng;Yoshida Shinya;Tanaka Shuji;吉田 慎哉;吉田 慎哉;Shinya Yoshida
  • 通讯作者：
    Shinya Yoshida
エピタキシャルPMnN-PZT/Si トランスデューサを用いた高S/N 比pMUT レンジファインダー
使用外延 PMnN-PZT/Si 传感器的高信噪比 pMUT 测距仪
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Maiko Tanabe;Kennedy O. Okeyo;Masahiro Okanojo;Hiroko Hanzawa;Masao Washizu;Shizu Takeda;吉田 慎哉
  • 通讯作者：
    吉田 慎哉
圧電MEMSのための高性能圧電薄膜の開発
压电MEMS高性能压电薄膜的开发
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Qi Xuanmeng;Yoshida Shinya;Tanaka Shuji;吉田 慎哉
  • 通讯作者：
    吉田 慎哉
エピタキシャル圧電薄膜のSi基板上への成膜と高性能MEMSの創出
在硅衬底上沉积外延压电薄膜并创建高性能MEMS
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Qi Xuanmeng;Yoshida Shinya;Tanaka Shuji;吉田 慎哉;吉田 慎哉
  • 通讯作者：
    吉田 慎哉
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用于高性能压电 MEMS 执行器的 Si 上 Sm 掺杂 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 薄膜溅射外延
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Qi Xuanmeng;吉田 慎哉;田中 秀治
  • 通讯作者：
    田中 秀治

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  • 期刊：
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  • 作者：
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  • 通讯作者：
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创建一种创新的压电换能器薄膜，结合了单晶的巨压电性和多晶的韧性
  • 批准号：
    23K23193
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 10.73万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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