Development of resonant-tunneling Mott transistor based on double quantum well structures of strongly correlated oxides.
开发基于强相关氧化物双量子阱结构的谐振隧道莫特晶体管。
基本信息
- 批准号:22H01948
- 负责人:
- 金额:$ 11.15万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2022
- 资助国家:日本
- 起止时间:2022-04-01 至 2025-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
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組頭 広志其他文献
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- 发表时间:
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小林 正起
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- 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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組頭 広志
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$ 11.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows