Development of surface-emitting broadband swept-source using self-assembled InAs quantum dots and its application for OCT
自组装InAs量子点面发射宽带扫频源的研制及其在OCT中的应用
基本信息
- 批准号:23H01449
- 负责人:
- 金额:$ 11.9万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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尾崎 信彦其他文献
自己組織化InAs量子ドットを用いた近赤外広帯域光源─高分解能光コヒーレンストモグラフィーへの応用─
使用自组装InAs量子点的近红外宽带光源─应用于高分辨率光学相干断层扫描─
- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
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尾崎 信彦
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- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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尾崎 信彦
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三维界面结构 InGaAs 薄膜在 1um 波段实现高亮度和宽带发光
- DOI:
- 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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Richard A. Hogg
Catalogue of Single Crystals having Exotic Electronic States
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- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
兼平 真吾;林 佑真;尾崎 信彦;大河内 俊介;池田 直樹;杉本 喜正;Richard A. Hogg;Takao Sasagawa - 通讯作者:
Takao Sasagawa
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自己組織化InAs量子ドットによる面発光型広帯域波長掃引光源開発とOCTへの応用
自组装InAs量子点面发射宽带扫频光源的研制及其在OCT中的应用
- 批准号:
23K26143 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
半導体ナノフォトニクス材料による革新的超小型オールインワン・テラヘルツ波源
采用半导体纳米光子材料的创新型超紧凑一体化太赫兹波源
- 批准号:
20K21005 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 11.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
非線形光学量子ドットの位置制御・高密度作製による超微細、超高速光・光デバイス開発
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- 批准号:
18760035 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 11.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)