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経路確率法及びモンテカルロ・シミュレーションによる結晶成長の研究

利用路径概率法和蒙特卡罗模拟研究晶体生长

基本信息

批准号：
05211201
负责人：
和田宏
金额：
$ 0.51万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

これまでGaAs(001)及びSi(001)の平坦面と微斜面上における分子線エピタキシー法による結晶成長を非平衡統計力学の立場から経路確率法(PPM)により解析してきた。その結果、RHEED(反射高速電子線回析)強度の振動現象の実験結果の再現、及び表面モルフォロジーを調べる事により結晶成長様式の変化の説明に成功した。平成5年度は(1)GaSi(001)模型に関しては、モンテカルロ・シミュレーションを行い、経路確率法による結果とシミュレーションによる結果の比較を行った。経路確率法では点近似(分子場近似)で解析しているため、シミュレーションとは成長温度は異なるが、シミュレーションによる結果は層成長からステップ前進モードへの変化及び表面モルフォロジーの時間発展まで経路確率法によりをきわめてよく再現される事が明らかになった。(2)Si(001)微斜面に関してはアニーリング下における熱電流効果を調べた。Si(001)微斜面は一層毎に異なる2種類のテラス面A、Bが存在し、電場の方向をステップ・アップの方向にかけるかステップ・ダウンの方向にかけるかでA,Bテラス面の増大・減少が反転する。A,Bテラス面の異方性を取り込むのみならず微斜面のステップに於いて原子の取り込みの違いを考慮するとテラスの反転現象は容易に起き得ることを明らかにした。シミュレーションとの比較は現在進行中である。

For GaAs(001) and Si(001), the molecular lines on the flat surface and on the micro-inclined surface are analyzed by the method of crystal growth from the standpoint of non-equilibrium statistical mechanics and the method of path accuracy (PPM). The results, the reproduction of the vibration phenomenon of RHEED(reflection high speed electron beam analysis) intensity, and the description of the crystal growth model of the surface temperature modulation were successfully described. In 2005, the results of the GaSi(001) model were compared with those of the route accuracy method. The analysis of the point approximation (molecular field approximation) of the path accuracy method and the variation of the growth temperature of the path accuracy method results in the variation of the growth temperature of the path accuracy method and the time evolution of the surface of the path accuracy method. (2)Si(001) micro-slope is related to thermal current effect modulation. Si(001) micro-slope layer has two different kinds of temperature surfaces A and B, and the direction of electric field increases and decreases. A,B: The anisotropy of the surface is easy to be obtained by considering the anisotropy of the micro-slope in the middle atom. The comparison is ongoing.