サブミリ波ESRを用いた磁性半導体超構造の研究
利用亚毫米ESR研究磁性半导体上部结构
基本信息
- 批准号:09244203
- 负责人:
- 金额:$ 1.79万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1997
- 资助国家:日本
- 起止时间:1997 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
サブミリ波ESRによりIII-VならびにII-VI族希薄磁性半導体の電子状態、磁気的状態を研究した。III-V族のGaMnAsに関して強磁性転移温度以下で強磁性共鳴信号を観測し、飽和磁化を見積もった。これよりドープしたMn^<2+>の約半分が磁化に寄与していると評価した。今回観測した信号はg=2であることから、Mn^<2+>の信号と考えられる。Mn^<3+>の信号は観測されなかったが、線幅が広くなっている可能性もある。ESRからはMn^<2+>の存在は確認されたが、Mn^<3+>の状態に関してはさらに研究が必要である。次にII-VI族のCd(Mn)TeのESRを系統的に行い、磁場中でスピングラス状態から乱れた反強磁性状態へのクロスオーバーを見いだした。このクロスオーバーの磁場から、35%Mnをドープした系でのMn間の平均の分子場は約7T程度と考えられる。さらに、線幅と線形の解析から内部場の分布等を見積もった。線形は単純なガウス分布ではなく、中心磁場の異なる複数のガウス分布の和で表されることから、クラスター的なスピングラスになっていると考えられる。このことはII-VI族では超交換相互作用が支配的であるということと対応している。GaMnAsに関して放射光を用いて遠赤外領域までの分光測定を行い、キャリアのプラズマ振動数に対応すると思われる反射率の立ち上がりを20cm^<-1>以下の低波数側で見つけた。この反射率の立ち上がりはGaAsのバンドギャップ内に出来た新しい状態の存在を示唆していると考えられる。
磁共振波谱ESR波谱要求III-V族稀土磁性半导体晶体形状,磁螺杆菌的形状研究。III-V族GaMnAs超导磁体的磁性漂移温度及以下的磁性共扼信号示波器、超导和磁化示波器。在此基础上,对Mn <2+>的半导体磁化强度与超导体的磁性能进行了研究。回示波器示波信号测试仪g=2 μ g/cm 2,Mn^<2+>示波信号测试仪μ g/cm 2。Mn^<3+>掺杂信号示波器的振荡频率为100 Hz,过渡金属氧化物的振荡频率为100 Hz,可能性很小。ESR电子自旋共振分析Mn^<2+>离子存在的非晶态结构,Mn^<3+离子的非晶态结构研究必须进行。次III-VI族镉(Mn)Te的ESR体系中,磁共振中的镉离子的磁共振形状不规则,反磁性形状不规则,磁共振频率不规则,磁共振频率不规则。锰氧化物镁合金锰系锰氧化物锰平均孔隙度为7T。さらに、線幅と線形の解析から内部場の分布等を見積もった。線形は単純なガウス分布ではなく、中心磁場の異なる複数のガウス分布の和で表されることから、クラスター的なスピングラスになっていると考えられる。第二类超高压输电线路II-VI族超高压输电线路相互作用的输电线路。GaMnAs的发射光使用中外区域中的分光确定行中,里亚亚的ラ振动运动数思反射率の立上20 cm ^<-1>以下の低波数。在GaAs衬底上的发射率不高的情况下,GaAs衬底内出现新的反射形状缺陷,存在着缺陷,需要进行测试。
项目成果
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专利数量(0)
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