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Electronic physical properties analysis and crystal defect distribution of electrode interfaces on wide-gap semiconductor at high temperatures by Raman spectroscopy
拉曼光谱高温下宽禁带半导体电极界面电子物理性质分析及晶体缺陷分布
基本信息
- 批准号：23K04607
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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