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表面新物質相としての反応性表面

反应表面作为表面新材料相

基本信息

批准号：
01609003
负责人：
田中虔一
金额：
$ 20.35万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

「表面新物質相としての反応性表面」を研究課題とする本計画研究班は当初の研究計画の主要設備としての「新物質相創製装置」及び「表面機能化装置」を最終年度である平成元年度までに完成した。「新物質相創製装置」は東北大学電気通信研究所(潮田資勝教授)において主として初年度及び2年度にわたって設計製作し完成した。また、「表面機能化装置」は東京大学物性研究所(田中虔一)において、2年度と最終年度にわたって設計製作し完成した。「新物質相創製装置」(東北大通信研)は超高真空下で単結晶試料を劈開、加熱、烝着等の処理を行えかつ長距離移動用サンプル・トランスファーロッド備えた設計で、試料上への金属の烝着量を単原子層以下にコントロールできるよう設計されている。この装置を使いGaーAs(110)面にCsを烝着しそこへO_2を吸着させることにより生成するショトキーバリアーの高さをラマン散乱の強度からCs量の関数として求めた。「表面機能化装置」(東大物性研)は独自の方式を開発し、気圧から超高真空までの広い範囲でWell Defined Surface上の吸着から反応まで自由に行えるようにした。さらに一気圧Ar雰囲気下でWell Defined Surfaceを使った電気化学反応を行える独自の方式とした。この装置の完成でWell Defined Surfaceを使って気相から液相までの実験が可能となった。この装置の気相反応セルを使ってこれまで見つかっていないRh(100),Pt-Rh(100)表面に準安定状態の表面化合物として窒素原子の配位した表面の合成とその反応性を調べることに成功した。さらに、反応進行中の表面をHREELS,LEED及びAESで調べる事によって、表面における触媒反応の中間体の検出に成功した。

The research project of "Surface New Material Phase and Reactive Surface" was completed in the first year of the research project. The main equipment of the research project was "New Material Phase Creation Device" and "Surface Functionalization Device". "New Material Phase Creation Device" was designed and manufactured by Professor Sukikatsu Shioda, Institute of Electrical Communication, Tohoku University. "Surface functionalization device" was designed and manufactured by the Institute of Physical Properties, University of Tokyo (Tanaka Kenichi) in the 2nd and final years. "New Material Phase Creation Device"(Tohoku University Communications Research Institute) is designed to process single crystal samples such as cleavage, heating, and deposition under ultra-high vacuum, and to prepare materials for long-distance movement. The amount of metal deposited on the sample is designed to be below the atomic layer. This device makes Cs in Ga_As(110) plane absorb O_2 and generate Cs in Ga_As (110) plane "Surface functionalization device"(Dongda Physical Research Institute) has its own way to open up, pressure, ultra-high vacuum, and range. Well Defined Surface for Electrical and Chemical Reaction in a Single Way The completion of this device is Well Defined Surface, so that the phase change is possible. The surface compound of quasi-stable state on Rh(100), Pt (100) surface and the coordination of element atoms on Rh (100) surface were successfully adjusted. In the process of reaction, HREELS,LEED and AES were successfully detected.