マグネット用高温超伝導材料の微細組織制御と高臨界電流密度化
マグネット用高温超伝導材料の微細組織制御と高臨界電流密度化
批准号:
01644520
负责人:
長村 光造
金额:
$6.53万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1989
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1989 至 --
中文摘要
酸化物超伝導体をマグネットおよび電力機器用材料として実用に供するためには大きな電流密度と機械的強度が同時に要求される。その目的のため銀シ-ス材が実用上構造的に安定であるので、Y Ba_2Cu_3O_<6+x>(Y系酸化物)と(Bi,Pb)SrCaCumOy(Bi系酸化物)をAgパイプに充填し、種々の条件のもとでTMT(加工熱処理)を施しテ-プ材を作製し、臨界電流密度(Jc)と微細組織の相関について検討し以下の結果を得た。Y系銀シ-ス材ではテ-プ厚さの減少とともにJcは増加すること、加工法としてはスェ-ジングとプレスの組合せが最も効果的であることが判明した。ポ-ルフィギュア法で結晶粒の配向性を調べたところテ-プ面に対してある一定の角度をもって各結晶粒のC面が配向することがわかり、このことがY系テ-プ材のJcを低い値に制限する原因であることが推論された。一方Bi系銀シ-ス材では熱処理温度に敏感であり、液相が存在しない範囲で最も高い温度でJcが高くなること明らかとなった。またTMT処理としてプレスと煙鈍を3回までくり返したが、くり返し回数が多いほどJcは高くなった。テ-プ材の組織は高Tc相と(Sr,Ca)_3Cu_5O_xあるいはCuOが主として存在し、不純物相の体積分率が小さいほど、高Tc相の配向性がよいほどJcが高くなることが明らかとなった。4.2K磁場中でのJcの値は結晶粒界でのピン止めによって決ることがデ-タ解析の結果推論された。付随してテ-プ材の引張強度について検討したところ、酸化物層の破断強度はJcと対応して増加すること、しかし最も高い値でも実用上必要とされる破断強度よりはるかに低く、機械的特性の改良が急務であることが判明した。
英文摘要
酸化物超伝導体をマグネットおよび電力機器用材料として実用に供するためには大きな電流密度と機械的強度が同時に要求される。その目的のため銀シ-ス材が実用上構造的に安定であるので、Y Ba_2Cu_3O_<6+x>(Y系酸化物)と(Bi,Pb)SrCaCumOy(Bi系酸化物)をAgパイプに充填し、種々の条件のもとでTMT(加工熱処理)を施しテ-プ材を作製し、臨界電流密度(Jc)と微細組織の相関について検討し以下の結果を得た。Y系銀シ-ス材ではテ-プ厚さの減少とともにJcは増加すること、加工法としてはスェ-ジングとプレスの組合せが最も効果的であることが判明した。ポ-ルフィギュア法で結晶粒の配向性を調べたところテ-プ面に対してある一定の角度をもって各結晶粒のC面が配向することがわかり、このことがY系テ-プ材のJcを低い値に制限する原因であることが推論された。一方Bi系銀シ-ス材では熱処理温度に敏感であり、液相が存在しない範囲で最も高い温度でJcが高くなること明らかとなった。またTMT処理としてプレスと煙鈍を3回までくり返したが、くり返し回数が多いほどJcは高くなった。テ-プ材の組織は高Tc相と(Sr,Ca)_3Cu_5O_xあるいはCuOが主として存在し、不純物相の体積分率が小さいほど、高Tc相の配向性がよいほどJcが高くなることが明らかとなった。4.2K磁場中でのJcの値は結晶粒界でのピン止めによって決ることがデ-タ解析の結果推論された。付随してテ-プ材の引張強度について検討したところ、酸化物層の破断強度はJcと対応して増加すること、しかし最も高い値でも実用上必要とされる破断強度よりはるかに低く、機械的特性の改良が急務であることが判明した。
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S.-S.Oh: "Microstructure Change during Crystallizatton of Amorphous Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O Ceramics" J.Mater.Sci. (1990)
S.-S.Oh:“非晶 Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O 陶瓷结晶过程中微观结构的变化”J.Mater.Sci。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Osamura: "Dependence of Critical Current Density on Micro-structure in Ag Sheathed Ba_2 Y Cu_3 Ox Tapes" J.Cryogenics. (1990)
K.Osamura:“Ag 护套 Ba_2 Y Cu_3 Ox 胶带中临界电流密度对微观结构的依赖性”J.Cryogenics。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
S.-S.Oh: "Effect of Cold Working on the Critical Current Density of Ag Sheathed B:(Pb)-Sr-Ca-Cu-O Tapes" ISTEC, (1990)
S.-S.Oh:“冷加工对银护套 B:(Pb)-Sr-Ca-Cu-O 带的临界电流密度的影响” ISTEC,(1990)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Osamura: "Effect Thermomechanical Treatment on the Critical Current Density of Ag sheathed B(Pb)SCCO Tapes" ISTEC, (1990)
K.Osamura:“热机械处理对银护套 B(Pb)SCCO 胶带临界电流密度的影响” ISTEC,(1990)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
金属被覆高温超伝導体の微細組織制御と高臨界電流密度化
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批准号:03210220
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$4.8万
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财政年份:1991
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负责人:長村 光造
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依托单位:
マグネット用高温超伝導材料の微細組織制御と高臨界電流密度化
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批准号:02226220
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$6.34万
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财政年份:1990
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负责人:長村 光造
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依托单位:
A15型化合物超電導体の微細構造とピン特性に関する基礎的研究
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批准号:60055023
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项目类别:Grant-in-Aid for Fusion Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1985
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负责人:長村 光造
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依托单位:
III-V族混晶の微視的構造と異相接合による構造不安定性の解明
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批准号:60122006
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$4.22万
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财政年份:1985
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负责人:長村 光造
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依托单位:
A15型化合物超電導体の微細構造とピン特性に関する基礎的研究
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批准号:59055027
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项目类别:Grant-in-Aid for Fusion Research
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1984
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负责人:長村 光造
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依托单位:
A15型化合物超電導体の微細構造とピン特性に関する基礎的研究
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批准号:58055029
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项目类别:Grant-in-Aid for Fusion Research
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1983
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负责人:長村 光造
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依托单位:
力学的見地からみた化合物超電導複合体の設計と製造に関する研究
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批准号:58850155
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$4.54万
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财政年份:1983
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负责人:長村 光造
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依托单位:
超伝導特性と合金の微細構造
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批准号:56550458
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1981
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负责人:長村 光造
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依托单位:
セタン基繊維強化複合材装の製造法の開発研究
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批准号:56850025
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$4.99万
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财政年份:1981
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负责人:長村 光造
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依托单位:
非晶質合金の構造とその力学的性質
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批准号:56211030
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$2.18万
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财政年份:1981
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负责人:長村 光造
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依托单位:
SAXS絶体測定によるAl_3元合金中のGPゾーンの構造および固溶限の決定
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批准号:X00090----455274
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1979
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负责人:長村 光造
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依托单位:
T-I-Nb系超伝導合金における析出のX線小角散乱法による研究
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批准号:X00095----265218
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.28万
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财政年份:1977
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负责人:長村 光造
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依托单位:
窒化物半導体の調製とその性質に関する研究
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批准号:X00210----875372
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.17万
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财政年份:1973
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负责人:長村 光造
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依托单位:
III-V族準二元系合金の調製とその性質に関する研究
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批准号:X00210----775357
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.15万
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财政年份:1972
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负责人:長村 光造
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依托单位:
III-V族化合物を含む三元系の熱力学的性質に関する研究
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批准号:X46210------5321
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.13万
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财政年份:1971
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负责人:長村 光造
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依托单位: