弱磁場下二次元電子における非局所性伝導:メゾスコピック系における一次元伝導チャネルと電極の役割についての研究

弱磁场下二维电子的非局域传导：介观系统中一维传导通道和电极的作用研究

• 批准号: 02251203
• 负责人: 小宮山 進
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1989
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1989 至 1990
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02251203/
• 关键词: エッジ状態; 量子ホ-ル効果; 非平衡分布

〔1〕クロスゲ-トを一つ有するHallーbar型試料における量子化ホ-ル抵抗のずれ負にバイアスしたゲ-トによるポテンシャル障壁のためにエッジ状態に非平衡な電子分布が生じ、その影響が数100μm離れた電圧端子に達してホ-ル抵抗のずれを生じることを明らかにした。〔2〕抵抗のずれの温度依存性とエッジ状態の分散エッジ状態間の分布の緩和長の温度依存性を解析することにより、エッジ間の実空間での隔たりが波動関数の広がりの4倍程度であるという。エッジ状態間の散乱が少ないことを符号する結果を得た。〔3〕標準的なHallーbar型試料におけるエッジ状態間の非平衡分布ゲ-トを持たない標準的なHallーbar型試料に現れる非局的なSdH振動をCarbino型試料での結果と用いて解析し、最上のランダウレベルとそれ以上のランダウレベルのエッジ状態に生ずる電子の非平衡分布によるとして説明した。〔4〕多ゲ-トHallーbar型試料、及び変形Corbino型試料の電子ビ-ム露光による作製より進んだ研究のために異なったgeometryを持つ試料を作製した。測定は今後行う。

(1) on the one hand, there is a device which is of the Hallmark type. The quantization of the device. The device resists the impact of the temperature. The barrier is in the balance. The distribution of the non-equilibrium electrons is very low. The number of the devices is 100 μ m. The number of the computers is the number of the terminals. (2) Resistance to temperature dependence of temperature, temperature dependence, dispersion, temperature dependence, temperature dependence and temperature dependence. There is a lot of confusion between two loops. the result of the symbol reading is satisfactory. (3) the non-equilibrium distribution of the standard SdH vibration Carbino type of materials was detected by the standard Hallpole-type materials. The results of the non-local vibration Carbino-type materials were analyzed by the computer analysis, and the temperature data above the temperature distribution were analyzed by the computer. (4) Multi-alloy Hallbar and corbino-shaped materials are used as raw materials for further research and development, and geometry materials are used as materials for further research. Measure the future action.

项目成果

S.Komiyama,H.Hirai,S.Sasa and T.Fujii: "Influence of Disordered Contacts on the FourーTerminal Measurements of Integral Quan Hall Effects." Solid State Commun.73. 91-95 (1990)

S.Komiyama、H.Hirai、S.Sasa 和 T.Fujii：“无序接触对整体固态 Commun 效应四端子测量的影响”。91-95 (1990)。

S.Komiyama,H.Hirai,M.Ohsawa,H.Matsuda,S.Sasa and T.Fujii: "Onset of InterーEdgeーState Relaxation due to Spontaneous Phonon Emission." Proc.20th lint.Conf.Physics of Semiconductor,Thessaloniki (Eds.E.M.Anastassakis and J.D.Joannopoulos.World Scientific). 11

S.Komiyama、H.Hirai、M.Ohsawa、H.Matsuda、S.Sasa 和 T.Fujii：“自发声子发射导致边缘态弛豫的发生。”Proc.20th lint.Conf.Physics of Semiconductor ，塞萨洛尼基（Eds.E.M.Anastassakis 和 J.D.Joannopoulos.World Scientific）。

S.Komiyama,H.Hirai,S.Sasa and T.Fujii: "NonーEquilibrium Population of Edge State and a Role of Contact in the Quantum Hall Regime." Surface Science,. 229. 224-228 (1990)

S. Komiyama、H. Hirai、S. Sasa 和 T. Fujii：“边缘态的非平衡布居和接触在量子霍尔表面科学中的作用”，229。224-228 (1990)

H.Hirai and S.Komiyama: "A Contact Limited Precision of the Quantized Hall Resistance." J.Appl.Phys.68. 655-662 (1990)

H.Hirai 和 S.Komiyama：“量化霍尔电阻的接触精度有限。”