周波数安定化参照共張器用光学素子のレ-ザ-損傷の研究

稳频参考共张量光学元件激光损伤研究

• 批准号: 03250211
• 负责人: 吉田 国雄
• 金额: $ 1.22万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1991
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1991 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-03250211/
• 关键词: 干渉用光源; 高フィネス共振器; レ-ザ-損傷; イオンビ-ムスパッタ-法; オ-バ-コ-ト; 熱伝導率

干渉用光源としての周波数安定化レ-ザ-では,参照共振器が周波数安定度を決定する重要な要素であり,サブヘルツの安定度を実現するには,周波数幅が10KHz以下の高フィネス共振器が必要となる。このような高フィネス共振器では,共振器内部での電界強度が極めて強くなるため,芝振器用ミラ-のレ-ザ-損傷しきい値の向上について研究した。先づ,高出力のミラ-のレ-ザ-損傷を向上させるために膜の熱伝導率とレ-ザ-損傷の関係を流体コ-ドを用いて調べたところ,レ-ザ-損傷が膜の熱伝導率に大きく依存することを見つけた。これを実証するために,ミラ-のオ-バ-コ-トとして従来から用いられているSiO_2とAl_2 O_3とを比較したところ,熱伝道率の高いAl_2 O_3のオ-バ-コ-トをしたミラ-では,約30%程度のレ-ザ-損傷しきい値の向上をみた。また,干渉計用共振器に用いるミラ-は,高反射率であることが必要である。この高反射率は,従来の電子ビ-ムまたは抵抗加熱法による蒸着法では達成できない。このため,イオンビ-ムスパッタ-法を用いて散乱の少ない,すなわち高反射率ミラ-の開発を開始した。このイオンビ-ムスパッタ-法で製作した膜のレ-ザ-損傷は,余り高くないこは一般に良く知られている。そこで,蒸着した膜面にレ-ザ-光を照射するレ-ザ-アニ-リング法を適用したところ,膜のレ-ザ-損傷しきい値を高め得ることを見つけた。

The frequency stability of the reference resonator is an important factor in determining the frequency stability of the interference light source, and the frequency stability of the reference resonator is necessary for high frequency resonators with a frequency amplitude of 10kHz or less. The electric field strength inside the resonator is extremely strong, and the vibration device is studied in the upward direction. First, the thermal conductivity of the film depends on the thermal conductivity of the film. The thermal conductivity of SiO_2 and Al_2O_3 is higher than that of SiO_2 and Al_2O_3, and the thermal conductivity of SiO_2 and Al_2O_3 is higher than that of Al_2O_3. The resonator for dry meter is used for high reflectivity. This high reflectivity is achieved by the resistance heating method and evaporation method. This is the beginning of the development of high reflectivity. This is the first time I've seen a film that's been made in this way. For example, if the film surface is exposed to light, the film surface will be exposed to light.