希土類含有多金属アルコキシドによるリチウムイオン伝導体の薄膜化

利用含稀土多金属醇盐薄膜形成锂离子导体

• 批准号: 06241229
• 负责人: 佐藤 峰夫
• 金额: $ 1.6万
• 依托单位: Niigata University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06241229/
• 关键词: ゾルゲル法; イオン伝導体; リチウムイオン伝導体; 希土類; 金属アルコキシド; 薄膜

これまで報告されているリチウムイオン伝導体としては,PO_4,SiO_4,GeO_4あるいはZrO_4などの酸素酸塩を含むリチウム化合物を基本として,これらの組み合わせや組成比の変化を行ってイオン伝導性の向上を目指してきた.しかし,その組成がかなり複雑なためリチウム二次電池への応用を考えた際に重要となる薄膜化は極めて困難であった.そこで本研究では,比較的簡単な化学組成を持つLiRSiO_4(R;希土類)について、多成分系化合物の薄膜化に有利な多金属アルコキシドを用いたゾル・ゲル法によるイオン伝導体の薄膜化を検討した。用いた出発物質は、i-プロポキシリチウム(LiO^iPr)、テトラエチトシシラン(Si(OEt)_4)および酢酸イットリウム四水和物(Y(OAc)_3・4H_2O)である。ゾル・ゲル法によるLiYSiO_4の結晶化の最適温度を調査したところ、700℃付近で既に結晶体が得られた。これは、通常の固相間反応ではこの系の結晶化には1100℃以上の温度が必要であることに比べると、ゾル・ゲル法の特徴がよく現れているといえる。またディッピング法により薄膜化を種々検討したところ、あらかじめコーティング溶液中にリチウムとシリコンの二金属アルコキシドを生成した場合において薄膜0.1μm以下の薄膜が形成されることがわかった。今後、この方法を、重希土類系のカンラン石構造の化合物に対して約二桁程度イオン伝導性が高い軽希土類系化合物の薄膜化に適用することにより、実用的なイオン伝導体薄膜の合成を試みたい。

In this paper, the results show that the chemical composition of the compound is higher than that of the normal compound. the results show that the chemical composition of the compound is higher than that of the normal compound. the results show that the chemical composition of the compound is higher than that of the chemical compound, which is the main component of the compound that contains the basic compound of PO_4,SiO_4,GeO_4, ZrO _ 4 and ZrO _ 4. In order to improve the quality of the secondary battery, it is very important for the secondary battery to be thin-filmed. In this study, the chemical composition of rare earth LiRSiO _ 4 (R; rare earth) and the multi-component compound "thin film" are beneficial to the growth of polymetallic compounds. Use the compound (Si (OEt) _ 4) to remove water and water (Y (OAc) _ 3 ·4H _ 2O). The crystallization of LiYSiO _ 4 was carried out by the method of crystallization. The highest temperature was obtained at the temperature of 700 ℃ and the temperature near 700 ℃. It is necessary to determine the temperature and temperature of crystallization temperature above 1100 ℃. The temperature, temperature and temperature. The thin film method is used to determine the temperature of the film, the temperature of the solution, the temperature of the bimetal, the formation of the thin film below 0.1 μ m, and the formation of the thin film. In the future, the method, the heavy rare earth type, the high temperature temperature, the high temperature, the temperature, the temperature,