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強磁性近藤物質CeScGeのフラックス法を用いた単結晶作製とその物性研究

熔剂法制备铁磁近藤材料CeScGe单晶及其物理性能研究

基本信息

批准号：
07233222
负责人：
上床美也
金额：
$ 0.96万
依托单位：
Saitama University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07233222/
关键词：
CeScGe フラックス法電気抵抗圧力効果磁化近藤化合物

项目摘要

本研究では、強磁性近藤物質CeScGeのフラックス法を用いた単結晶作製及び物性研究を行った。まず、測定用試料としてアーク溶解後焼鈍した多結晶試料を用い、多結晶によるこれまでの結果の確認を行った。磁化の温度依存性の結果より磁化は、これまで報告されたような強磁性体が示すようね温度変化をせず、反強磁性体が示すようなT=46K付近にカスプを持つ温度変化をする事がわかった。T=4.2Kでの磁化の磁場依存性より、磁化はH=6T及び12T付近で小さな飛びを示し、この物質が強磁性体ではなく反強磁性体であることが明らかにされた。更に、高圧下での電気抵抗の温度依存性の測定を行った結果、高圧下で、磁気転移温度が低温側へ移動し、P=60kbarでは、高温側に近藤効果の結晶場による影響により見られるようなブロードな山が現れた。以上の結果によりCeScGeは、(1)強磁性ではなくT_N=46Kの反強磁性体、(2)磁気転移を2つ以上もつ、(3)T_Nの圧力効果はdT_N/dp=-0.58(K/kbar)であることがわかった。現在、フラックス法による単結晶作りを行っている。これまでにフラックスとしてSn,Ga等を用いて行ったが単結晶は、得られなかった。今後、フラックス濃度及び他のフラックルや二元化合物フラックスを用いて単結晶作りを行っていく予定である。

In this study, the preparation and physical properties of ferromagnetic Kondo substance CeScGe were studied by means of crystal method. The determination of the sample was carried out after dissolution and burning of the polycrystalline sample. The temperature dependence of magnetization results in magnetization and temperature dependence of ferromagnetic and antiferromagnetic materials at T=46K. T=4.2K magnetic field dependence of magnetization H= 6T and H = 12T magnetic field dependence of magnetization H= 6T and H = 12T magnetic field dependence of magnetization In addition, the temperature dependence of the electrical resistance at high and low pressures was measured. Under high pressures, the temperature of the magnetic field shifted from low to high temperatures, P=60kbar, and the effect of the crystallization field on the Kondo effect was observed. The above results are: (1) ferromagnetic T_N=46K antiferromagnetic;(2) magnetic shift> 2;(3)T_N pressure effect dT_N/dp=-0.58(K/kbar). Now, if you want to know how to do this, you can do it. This is the first time that we've seen such a thing. In the future, the concentration and other properties of binary compounds will be determined.