極低周波変動磁場による遺伝子突然変異誘発の検索と機構解析

极低频脉动磁场诱发基因突变的寻找及机制分析

• 批准号: 07263235
• 负责人: 宮城 順二
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07263235/
• 关键词: 極低周波変動磁場; 培養細胞; 突然変異; X線; HPRT遺伝子

ヒト由来培養樹立細胞(MeWo)を用いる。MeWo細胞はGバンド染色法により、正常X染色体を1本保有することを確認している。突然変異誘発を検索する遺伝子座として、hypoxanthineguanime phosphoribosyl transferase(HPRT)遺伝子を選んだ。変動磁場(ELF)曝露(50Hz、400mT)による誘導電流密度の影響を検討するため直径15cmのド-ナツシャーレを用いた。さらに曝露時間も変化させて、MeWo細胞に曝露し、2週間の発現時間を経て、6-チオグアニン(6-TG)で選択した。選択後の6-TG抵抗性細胞の集落形成を指標として、HPRT遺伝子の突然変異誘発頻度を検索した。陽性対照としてMeWo細胞に放射線(X線)を照射し、同じ方法により突然変異誘発頻度を算出した。さらに、放射線照射後ELFに曝露し、HPRT遺伝子の突然変異頻度について放射線とELFの相乗効果の有無について解析を加えた。その結果、400mTのELFを1時間から20時間まで曝露した場合、2時間で約4.5倍、10時間で約6倍に突然変異誘発頻度は増加した。ELF曝露をさらに20時間まで行ったが、突然変異誘発頻度のさらなる増加は見られず、ELF10時間曝露とほぼ同じレベルであった。400mTで2時間曝露した場合、突然変異誘発頻度は誘導電流密度にほぼ依存して増加した。また、X線照射単独に比べてX線照射後ELF2時間曝露した場合、相乗的に突然変異誘発頻度は増加した。ELFはそのエネルギーからDNA鎖を切断することは考えにくいので、特にDNA合成期における影響についてハイドロキシウレアとAra-C処理によりDNA合成を阻害させ、この状態でELFを曝露した場合の突然変異誘発頻度にどのような影響がもたらされるかをも合わせて解析した。その結果、ELF曝露中DNA合成を阻害した場合、突然変異誘発頻度の増加は観察されなかった。

The cell culture system (MeWo) is used for cell culture. MeWo cells were confirmed to have normal X chromosome by G staining. The expression of hypoxanthineguanine phosphoryl transferase(HPRT) was detected by PCR. The effects of ELF exposure (50Hz, 400mT) on induced current density were investigated. The time of exposure, the time of emergence of MeWo cells, and the time of 6-TG were selected. The colony formation index of 6-TG resistant cells after selection and the frequency of abrupt induction of HPRT gene were detected. The frequency of sudden and abnormal radiation was calculated by the same method as that of radiation (X-ray). In addition, ELF exposure after radiation exposure, HPRT gene sudden change frequency, radiation and ELF phase effect have not been analyzed. As a result, the ELF of 400mT increased from 1 time to 20 time, and the frequency of sudden induction increased from about 4.5 times to 10 times. ELF exposure: 20 hours ago, sudden change in frequency, increase in frequency, ELF exposure: 10 hours ago 400mT for 2 hours exposure, the frequency of sudden induction increases depending on the induced current density. In addition, the frequency of X-ray exposure alone was higher than that of ELF2 exposure after X-ray exposure. ELF is exposed to DNA lock, DNA synthesis inhibition, Ara-C treatment, and sudden induction frequency. The frequency of DNA synthesis inhibition during ELF exposure and the frequency of sudden induction increased.

项目成果

Junji Miyakoshi: "Changes in radiation sensitivity of human osteosarcoma cells after p53 introduction." Japanese Journal of Cancer Research. 86. 711-713 (1995)

Junji Miyakoshi：“引入 p53 后人类骨肉瘤细胞的辐射敏感性发生变化。”

Junji Miyakoshi: "Exposure to 50 Hz magnetic field enhances β-galactosidase activity in rat PC12-VG cells." Journal of Japanese Sociey of Applied Electromagnetics and Mechanics. 3. 52-56 (1995)

Junji Miyakoshi：“暴露于 50 Hz 磁场可增强大鼠 PC12-VG 细胞中的 β-半乳糖苷酶活性。”日本应用电磁学和力学学会杂志 3. 52-56 (1995)。

Nobuyuki Yamagishi: "Modification of Radiosensitivity of human cells which have Simian virus 40 T-antigen introduced by transfection." Journal of Radiation Research. 36. 239-247 (1995)

Nobuyuki Yamagishi：“通过转染引入猿猴病毒 40 T 抗原，从而改变人类细胞的放射敏感性。”

Junji Miyakoshi: "Increase in HPRT gene mutations by exposure to high-density 50 Hz magnetic fields." Mutation Research. 349. 109-114 (1996)

Junji Miyakoshi：“暴露于高密度 50 Hz 磁场会增加 HPRT 基因突变。”

Junji Miyakoshi: "A newly designed experimental system for exposure of mammalian cells to extremely low frequency magnetic fields." Journal of Radiation Research.35. 26-34 (1994)

Junji Miyakoshi：“一种新设计的实验系统，用于将哺乳动物细胞暴露于极低频磁场中。”