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重い電子系セリウム化合物におけるフェルミ面のネスティングとSDW転移

重电子铈化合物中的费米表面嵌套和SDW跃迁

基本信息

批准号：
08223202
负责人：
村山茂幸
金额：
$ 0.83万
依托单位：
Muroran Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

大きな磁気異方性を持つ常磁性の重い電子系CeRu_2Si_2のRuサイトをRhで置換したCe(Ru_<1-x>Rh_x)_2Si_2は0.05<x<0.3で遍歴電子型の反強磁性秩序が存在する。最近の中性子回折実験により、この磁気秩序はc軸方向にスピン偏極し、incom mensurateな波数をもつサイン構造をしていることが明らかになった。そこで、本研究においてCe(Ru_<1-x>Rh_x)_2Si_2,x=0.15の単結晶試料を用いて、電気抵抗、磁気抵抗、磁場中比熱、磁化率の測定を行い、この系のフェルミ面の状態および反強磁性秩序の起源を探った。その結果、ネ-ル温度T_N=5.5Kにおいて、フェルミ面がc軸方向に沿って部分的にギャップを開くことが確認された。また、T_Nは磁場の増加に従って低温側に移動し、B=4Tにおいて、反強磁性は消失する。T_Nの磁場依存性から得られるB-Tカーブは、BCS超伝導やこれに基づくSDWの平均場理論のギャップΔと温度Tの関係に一致する。ギャップの大きさはΔ=10Kと見積もられた。また、T_N以下の低温極限でも、フェルミ面上でギャップが開かず依然として残留する重い電子は全体の約65%であることが判明した。以上の結果から、この系においてc軸方向に沿って重い電子のフェルミ面のネスティングが発生し、フェルミ面の一部にギャップが開くことが初めて示唆された。従って、この系の反強磁性はフェルミ面のネスティングに伴うSDWであると結論づけられ、重い電子の特異な基底状態の一端が明らかにされた。

The heavy electron system CeRu_2Si_2 and Ru_Rh_x are replaced by Ce(Ru_<1-x>Rh_x)_2Si_2 and 0.05<x<0.3. The antiferromagnetic order of the heavy electron system CeRu_2Si_2 and Ru_ Rh_x exists. The most recent sub-reflection is the magnetic order of the magnetic field in the c-axis direction, and the wave number of the magnetic field is the structure of the magnetic field. In this study, Ce(Ru_<1-x>Rh_x)_2Si_2,x=0.15 single crystal samples were used for the determination of electric resistance, magnetic resistance, specific heat in magnetic field, magnetic susceptibility, and the origin of antiferromagnetic order. The results show that the temperature T_N=5.5K and the temperature T_N=5.5K are determined by the temperature T_N=5.5K and the temperature T_N = 5.5K. T_N magnetic field increases, B=4T magnetic field increases, and antiferromagnetism disappears. The dependence of T_N on the magnetic field is derived from the B-T equation, BCS equation and SDW equation.ギャップの大きさはΔ=10Kと见积もられた。At low temperatures below T_N, about 65% of the heavy electrons remain on the surface. The above results show that the electron density in the direction of c-axis is higher than that in the direction of c-axis. The antiferromagnetism of the electron system is characterized by the presence of a strong electron in the substrate state.