CeおよびSmの近藤化合物の探索と低温輸送現象測定

Ce化合物としてはCeNi_2Sn_2の単結晶化を試み、X線回析により調べたところ純良の単結晶であることが判明した。結晶主軸方向の試料を無歪切断機により加工し、電気抵抗、熱電能、帯磁率をa軸、c軸に沿って測定することができた。多結晶試料に比べて残留抵抗値は10μlcmとなり改善した。また熱電能の低温構造はより顕著となった。極低温領域の近藤効果による電気抵抗、熱電能の異常現象をはっきりととらえ、その特徴を明らかにした。また比熱、帯磁率からは近藤効果の影響がある場合の結晶場に関して有益な情報を得ることができた。多結晶試料のデータを単結晶を用いてより精密に明瞭にすることができた。Sm化合物としてはSmCu_2Si_2、SmCu_2Sn_2、SmNi_2Si_2、SmNi_2Sn_2の多結晶試料を作り、電気抵抗、熱電能、帯磁率、比熱の測定を行なった。どの試料もヘリウム温度近傍で複数の転移を持つことが判明した。この転移の内1つは反強磁性によるものであるがその他の転移の起源は充分明らかにするには至らなかった。四重極転移の可能性もあり、磁気構造の変化の不可能もあると思われる。いずれにしても稀な興味ある現象であるので、単結晶試料を作り、更に測定を重ねて、転移の起源を明らかにする。

Ce化合物としてはCeNi_2Sn_2の単結晶化を試み、X線回析により調べたところ純良の単結晶であることが判明した。結晶主軸方向の試料を無歪切断機により加工し、電気抵抗、熱電能、帯磁率をa軸、c軸に沿って測定することができた。多結晶試料に比べて残留抵抗値は10μlcmとなり改善した。また熱電能の低温構造はより顕著となった。極低温領域の近藤効果による電気抵抗、熱電能の異常現象をはっきりととらえ、その特徴を明らかにした。また比熱、帯磁率からは近藤効果の影響がある場合の結晶場に関して有益な情報を得ることができた。多結晶試料のデータを単結晶を用いてより精密に明瞭にすることができた。Sm化合物としてはSmCu_2Si_2、SmCu_2Sn_2、SmNi_2Si_2、SmNi_2Sn_2の多結晶試料を作り、電気抵抗、熱電能、帯磁率、比熱の測定を行なった。どの試料もヘリウム温度近傍で複数の転移を持つことが判明した。この転移の内1つは反強磁性によるものであるがその他の転移の起源は充分明らかにするには至らなかった。四重極転移の可能性もあり、磁気構造の変化の不可能もあると思われる。いずれにしても稀な興味ある現象であるので、単結晶試料を作り、更に測定を重ねて、転移の起源を明らかにする。