3元半電子系化合物における新物質探索と環境効果

三元半电子化合物的新物质搜寻及环境影响

• 批准号: 08223228
• 负责人: 奥田 喜一
• 金额: $ 0.96万
• 依托单位: Osaka Prefecture University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-08223228/
• 关键词: 重い電子系化合物; 強相関物理; 3元半電子系化合物

Ce-T-Si系三元化合物における新物質探索の過程で、頻繁に現れるCeSi二元化合物はこれまで構造は確定されているものの、単結晶化はなされていなかったので、本年度はこの物質を取り上げ単結晶化に成功した。トリアーク炉で原料元素を1:1に溶融し、チョクラルスキー法で作成されたもので、直径3〜5mm、長さ30mm、成長方向はほぼb軸である。単結晶軸はラウエ写真法で決定し、比熱および各軸方向について、帯磁率、磁化、電気抵性短距離秩序によると思われる幅広い山と5.9Kに反強磁性転移による鋭いλ型ピークが現れる。エントロピーの計算の結果、低温の反強磁性秩序で失われるエントロピーはほぼRln2となり基底二重項を示唆している。高温帯磁率はキュリーワイス則に従い、有効磁化は自由イオン値に近く、Ceの価数が3価であることを示している。b軸帯磁率は5.9Kに鋭い大きなピークを示し、a,c軸はこれに比べて小さくb軸が主軸であること示している。磁化測定の結果、b軸は4.2K、0.5Tにメタ磁性転移を示し、1.6μ_B/Ceの飽和モーメントを示す。これに対しa、c軸については低磁場ではほぼ直線的に増加し、3T以上でブリリュアン関数的に飽和していく、飽和モーメントは約1μ_B/Ceである。電気抵抗は温度下降に従って直線的に減少し30K以下急速に減少する。各軸方向の相対的な大きさは帯磁率同様一軸的でb軸方向が最も伝導度が大きい。さらに、反強磁性秩序状態において、大きな負の磁気抵抗が観測され、b軸方向については8Tで40%の減少率に達する。この減少率はメタ磁性転移による磁化の増加に対応しており磁化mの4乗に比例する。このことは大きなスピン揺動効果が電気抵抗に含まれていることを示唆する。

The process of exploration of new compounds in Ce-T-Si ternary compounds, the preparation of CeSi binary compounds, the determination of crystallization, the crystallization of compounds, and the success of crystallization. The raw material elements of the furnace furnace are dissolved at 1:1, and the raw materials of the furnace are formed by the method of melting at 1:1, the diameter of 3~5mm, the length of 30mm, and the direction of growth. The photographic method determines the difference between different directions, magnetic flux, magnetization, electrical resistance and short distance separation order. The amplitude of the image is 5.9K, and the reverse magnetic shift is sensitive to λ. Because of the results of the calculation, the results of the calculation of the magnetic order at low temperature, the loss of the magnetic order, the loss of the magnetic order, the temperature, the magnetic order, the temperature, the High temperature magnetization, Ce, magnetization, magnetization and magnetization. B) the magnetic rate is 5.9K, and the magnetic rate is 5.9K. The results of magnetization test, 4.2K, 0.5T, 1.6 μ _ B/Ce and high temperature. This is due to the increase in the number of straight lines of low magnetic fields, the number of straight lines above 3T, and the number of units above 3T. This is due to the increase in the number of straight lines in the low magnetic field, the number of straight lines in the low magnetic field, the number of straight lines in the lower magnetic field, the number of miles above 3T, and the number of miles above 3T. The electricity resists the temperature drop and the temperature drop. The temperature of the straight line is less than 30K. The direction of "b" with the same magnetic rate is the most important. There is a negative magnetic order, a strong magnetic order, a strong magnetic resistance, and a low rate of 8T

项目成果

S.Noguchi, K.Okuda T.Adachi, T.Yoshida: "Synthesis and characterization of new ternory silicide Er_<1.2> Fe_4 Si_<9.8>" Physica B. (印刷中).

S.Noguchi、K.Okuda T.Adachi、T.Yoshida：“新型三元硅化物 Er_<1.2> Fe_4 Si_<9.8> 的合成和表征”Physica B.（出版中）。