Asを含む金属-カルコゲン系液体の金属-非金属転移

含砷金属-硫族液体中的金属-非金属转变

基本信息

  • 批准号:
    08226208
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.64万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1996
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1996 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究では、性質の異なる複数のM-X結合が共存する場合に系の転移挙動がどのようになるかという問題に焦点をあて、Ag-As_2X_3(X:Se,Te)系の電気伝導度σ、磁化率χ、熱電能Sの測定を行った。その結果、Ag_x(As_2Te_3)_<1-χ>系では、χ=0.8を過ぎるとxの増加とともにσの急激な減少が起こりχ=0.857(化学量論組成Ag_6As_2Te_3に相当)において極小をとること、χもこの組成において反磁性の極大をとること、この組成近傍でSの急激な変化が観測されるが符号の反転には至らずAg_6As_2Se_3におけるSの絶対値は小さいものの明らかにプラスの値をとることが分かった。Ag_χ(As_2Se_3)_<1-χ>系のσは、Te系とは大きく異なり、Ag_6As_2Te_3において極大をとり、化学量論組成近傍(0.82^<2χ>20.90)でσは負の温度依存性を示すという極めて特異な結果が得られた。また、この組成近傍で反磁性の緩やかな極大が現れること、Sの符号がχ=0.857の直前で反転し化学量論組成では負の値をとることが分かった。これらの結果から非局在近似モデルを用いて系の結合性を検討したところ、両系共に低Ag組成では共有結合性が支配的であるが、χ=0.80を越えると急激にイオン結合性へと変化することが分かった。また、この変化はSe系の方がより顕著であった。さらに、エネルギー依存σ(E)を導入したpseudo-gap modelを適用して解析したところ、Ag_6As_2Te_3ではΔEの温度変化は小さく、E_Fはやや価電子帯側に位置し、温度の上昇とともにバンド構造が真性半導体的になることが分かった。一方、Ag_6As_2Se_3ではSの符号が負であることに対応して伝導帯、価電子帯の状態密度に大きな差が生じていること、および、温度上昇とともに電子の局在化が強まることが分かった。
In this study, the complex data of the experiment and the sexual cycle were combined with the coexisting complex, the focus of the problem, the focus of the problem, and the Ag-As_2X_3 (XRV) were used to determine the accuracy σ, magnetic susceptibility χ, and energy S of the system. Comparison results, Ag_x (As_2Te_3) _ & lt;1- χ & gt The chemical composition of Ag_6As_2Te_3 is equal to that of low temperature, low The message is grouped into a symbol called "Ag _ 6As_2Se_3". "S", "S", "S", " Ag_ χ (As_2Se_3) _ & lt;1- χ & gt; is σ, Tex, Ag_6As_2Te_3, and chemical theory are (0.82 ^ & lt;2 χ & gt;20.90). The temperature dependence of temperature dependence shows that the results show that the temperature dependence is very high. The chemical weight of the chemical quantity is formed by the symbol "χ = 0.857". The chemical quantity is divided into two parts: the chemical quantity of the chemical quantity, the chemical quantity of the chemical quantity. The results of the results showed that the combination of the two systems was similar to that of the combination of the two systems, the lower the Ag of the system, the lower the combination of the two systems, and the lower the combination of the two systems. The results showed that there were significant differences between the two groups. Please tell me that you are not in a position to pay attention. The temperature dependence σ (E) and the temperature dependence σ (E) of the pseudo-gap model are analyzed by the computer, the temperature is reduced by the temperature of the Ag_6As_2Te_3, the position of the electrons is affected by the temperature, and the true semiconductors are made by the temperature sensor. On the one hand, the Ag_6As_2Se_3 is responsible for the increase of the density of the electrical equipment. On the other hand, the power supply bureau is strengthening the distribution of the electrical power station.

项目成果

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