ナノ構造界面・断面構造の評価と制御に関する研究

纳米结构界面和截面结构评价与控制研究

• 批准号: 09233220
• 负责人: 吉信 達夫
• 金额: $ 0.64万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09233220/
• 关键词: ステップバンチング; ファセッティング; ステップ

本年度はナノ構造形成への応用が考えられるステップのバンチングとファセッティングについて調べた。これらの方法により、原子レベルで平坦なステップフリーの広いテラスが得られ、ナノ構造の形成や量子機能の発現に有利であるほか、高さや密度を制御した多段ステップを量子細線の作製に利用したり、核生成サイトとしての応用が考えられる。Si(111)微斜面における直流電流の通電によるステップのバンチングおよびデバンチングの過程をin situで観察することができる光散乱測定装置を試作した。超高真空中チャンバ内に置いた試料に対して約1240℃でステップダウン方向に通電加熱を行ない回折光を測定した。その結果、平均テラス幅は3〜14ミクロンの広い範囲にわたって時間の1/2乗に比例して増加することがわかった。またテラス幅分布の標準偏差は平均テラス幅の0.24倍であった。次にステップアップ方向に通電を行なったところ回折ピークの位置は変化せず次第にピークが消滅する様子が観察された。デバンチングにおいてはバンチの間隔は変化せずに各バンチが崩壊していることを示している。また、Si(113)微斜面においてアニールによるファセッティングの様子を超高真空STMで調べた。高温側ではsingle step相となるのに対して、700℃以下ではファセッティングが進行し、テラス幅が時間の1/6乗で増加することを確認した。また、近距離でのステップ間相互作用を考慮したモンテカルロシミュレーションによってこれを再現した。

This year, the structure of the company was formed and used for research and development. This method is advantageous for the formation of structures and the development of quantum functions. It is advantageous for the formation of multi-stage structures and the development of quantum thin wires. Si(111) micro-inclined surface of the direct current of the current flow, the process of the light scattering measurement device is tested. The refraction of the sample in ultra-high vacuum was measured at about 1240℃ under electric heating. The results show that the average amplitude of the sample increases by 1/2 of the sample time from 3 to 14. The standard deviation of the amplitude distribution is 0.24 times the mean amplitude. The next step is to turn on the power and turn off the power. In the middle of the day, the gap between the two groups changes. Si(113) micro-slope, ultra-high vacuum STM On the high temperature side, it is confirmed that the temperature of the single step phase increases by 1/6 of the time when the temperature is below 700℃. The interaction between the two groups is considered.

项目成果

K.Sudoh et al.: "Dynamics of Faceting on Vicinal Si (113) Studied by Scanning Tunneling Microscopy" Scanning Microscopy. (in press).

K.Sudoh 等人：“通过扫描隧道显微镜研究邻位 Si (113) 上刻面的动力学”扫描显微镜。