波長多重用フォトニックデバイス

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波長多重フォトニックデバイスとして、引き続き高速半導体光スイッチ及び高効率波長変換素子の高性能化に関して検討を行った。高速半導体光スイッチとして、部分屈折率変調多モード干渉導波路型光スイッチ(MIPS-P)の気相エッチングによる作製プロセスの精密制御化を試み、無変調時にも-19dBの低いクロストークが得られるようになった。また高効率屈折率変化のために不可欠な電流閉じ込め向上の観点から、横方向にはプロトン打ち込み構造について作製条件の最適化を図ると共に、薄クラッド層の採用によりInGaAsP/InPにおいてスイッチングを達成した。層厚方向についてはヘテロ障壁の大きなAIGaInAs/AIInAsを採用し、まずリッジ深さの制御を通して多モード干渉導波路の構造設計化を図ると共に、実際に無変調/変調いずれの場合も-10dB以下のクロストークでスイッチングを達成することができ、AIGaInAsの有効性を示した。他方、波長変換素子として、多モード干渉結合器(MMIC)と半導体光増幅器(SOA)を集積したマイケルソン干渉計型素子(MIWC-MMIC)について検討を進め、SOAと導波路の集積構造の結晶成長における作製条件を把握した。また、MMICの分岐比や端面反射率などの構造パラメータの特性に与える影響を解析により検討し、それらの許容度を明らかにした。また伝搬マトリクス法によるSOAの解析プログラムを構築し、制御光やアシスト光の入射方向や波長依存性などの構造・動作パラメータに関する指針を明らかにし、SOA単体で約25psの高速化が達成可能であることや、マイケルソン型がマッハツェンダー型干渉計より10Gb/sにおいて良好なアイパターンが得られ、高速動作が可能であることなどを明らかにした。