Evolution of novel superconductivity in p-and d- electron systems

p 和 d 电子系统中新型超导性的演变

基本信息

  • 批准号:
    16076212
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 71.17万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    2004
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2004 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

p電子系およびd電子系において、BドープSiCやT2Ga9(T=Ir, Rh)などの新規超伝導体の開発に成功した。また、それらの詳細な物性測定、電子状態の計算や計算手法の確立を通じて数多くの超伝導体の超伝導発現メカニズムについて解析を行った。特に、Ln2C3(Ln=Y, La)における2ギャップ超伝導、CaAlSiにおける長周期構造と超伝導特性との相関、BドープSiCの超伝導発現機構を明らかにした。
P an electronics お よ び d an electronics に お い て, B ド ー プ SiC や T2Ga9 (T = Ir, Rh) な ど の new rules super conductor 伝 の open 発 に successful し た. ま た, そ れ ら の な detailed physical properties determination, electronic state の や calculation technique の establish を tong じ て more く の 伝 conductor の ultra 伝 guide 発 now メ カ ニ ズ ム に つ い analytical line を っ て た. に, Ln2C3 (Ln = Y, La) に お け る 2 ギ ャ ッ プ super 伝 guide, CaAlSi に お け る long-period structure と super 伝 guide features と の phase masato, B ド ー プ SiC の super 伝 guide 発 institutions now を Ming ら か に し た.

项目成果

期刊论文数量(269)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Superconductivity in heavily boron-doped silicon carbide
  • DOI:
    10.1088/1468-6996/9/4/044205
  • 发表时间:
    2008-10
  • 期刊:
  • 影响因子:
    5.5
  • 作者:
    M. Kriener;T. Muranaka;J. Kato;Z. Ren;J. Akimitsu;Y. Maeno
  • 通讯作者:
    M. Kriener;T. Muranaka;J. Kato;Z. Ren;J. Akimitsu;Y. Maeno
Fate of Quasiparticle at Mott Transition and Interplay with Lifshitz Transition Studied by Correlator Projection Method
相关器投影法研究莫特跃迁中准粒子的命运及其与利夫希茨跃迁的相互作用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y Shibayama;K Shirahama;S. Matsuo;前野悦輝;M. Ueda;K.Hanasaki
  • 通讯作者:
    K.Hanasaki
Observation of Phase Transition with Lattice Distortion in the Low-dimensional Quantum Spin System TiOBr by Synchrotron X-ray Diffraction
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Inutsuka;S.;Sano;T.;T.Sasaki
  • 通讯作者:
    T.Sasaki
多変数変分波動関数を用いた二次元ハバード模型の数値的研究
使用多元变分波函数的二维哈伯德模型的数值研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K.Miki;P.Westh;K.Nishikawa;Y.Koga;田原大資
  • 通讯作者:
    田原大資
BドープSiC超伝導の物性
B掺杂SiC超导体的物理性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sako;S.;Aoki;T.;Doi;M.;Handa;T.;Kawara;K.;Kohno;K.;Minezaki;T.;Mitani;N.;Miyata;T.;Motohara;K.;Soyano;T.;Tanabe;T.;Tanaka;M.;Tarusawa;K.;Yoshii;Y.;Bronfman;L.;Ruiz;M.T.;村中 隆弘
  • 通讯作者:
    村中 隆弘
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    Grant-in-Aid for Specially Promoted Research

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    2024
  • 资助金额:
    $ 71.17万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    23K25816
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 71.17万
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