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パナスコピック形態制御された希土類系物質の高圧力誘起電磁物性

具有全景形貌控制的稀土材料的高压感应电磁特性

基本信息

批准号：
16080212
负责人：
巨海玄道
金额：
$ 20.67万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2004
资助国家：
日本
起止时间：
2004 至 2008
项目状态：
已结题

项目摘要

19年度は主に以下のようなテーマに絞り研究を行った。1)高濃度近藤化合物CeAu2Si2の高圧下における電子物性この物質は層状構造を持ち、約8Kで反強磁性秩序を示す。ネール温度TNは高圧下で消失すると考えられ、より高圧側での電子状態に興味が持たれている。高圧下の近藤効果の実験はスイスのJaccard達により調べられているが、TNやメタ磁性転移磁場B_Mの圧力効果などについての詳細な研究はまだなされていない。更に単結晶を使った精密な電気抵抗測定はその例がない。このようなことから本研究においては3.4GPaまでの圧力範囲で電気抵抗や磁気抵抗を調べた。常圧では反強磁性特有のハンプを示して抵抗は上がり、ピークを作って再び下がりはじめる。この抵抗のハンプは圧力を上げるとはっきりしなくなるが明らかに高温側にシフトしている。このハンプの始まりの温度をネール温度TNと定義し、ピークの温度をTmasと定義する。T_NとTmaxはいずれも加圧により増加し、圧力に対してほぼ同じような振る舞いをする。しかし細かく見るとT_Nは圧力に対して1GPa近傍で異常を示す。この詳細な理由は今のところよく分かっていないが磁気構造の異常によるものと思われる。常圧下における磁気抵抗効果は磁場がそれぞれa軸、c軸に平行な場合に対して大きな異方性を示した。c軸に平行な場合は約4T(=B_M)でメタ磁性転移による不連続な飛びを示す。圧力効果については低圧でははっきりと見えていた転移が高圧下ではかなり不鮮明になり、更にB_Mは加圧とともに増加する事が明らかとなった。この増加はT_Nの加圧による増加と熱力学的によく対応している。2)反強磁性化合物CeIn3の高圧合成Ceの特異な圧力-温度相図を使って磁気秩序を示す重い電子系化合物CeIn3の高圧合成を行った。これまでは高圧合成により磁気秩序を示さない化合物の合成に成功しており、またこの化合物の成長が冷却速過程によることを明らかにした。今回更に作製条件を明らかにするため冷却速度の最適化を図った。その結果作製直後は反強磁性を示さない試料が約一週間後に測定してみると磁気秩序を示すことが分かった。即ちこれらの試料は結晶学的に不安定状態で出来ており、経時変化を示すことが明らかとなった。今後より詳細な作製条件を突き止めていく。

19th Annual Report 1)Electronic properties of high concentration Kondo compound CeAu2Si2 at high pressure show that the material has a layered structure and an antiferromagnetic order at about 8K. The temperature of the product TN disappears under high pressure, and the electronic state on the high pressure side remains active. A detailed study of the effect of magnetic shift field B_M under high pressure is presented. More precise electrical resistance measurements are required. In this study, the voltage range of 3.4 GPa was adjusted by electric and magnetic resistance. The antiferromagnetism characteristic of the constant pressure is shown in the resistance to the upper part of the body, and the resistance to the lower part of the body. The resistance to high temperature is high. The initial temperature of the reaction is TN. The initial temperature of the reaction is Tmas. T_N is the highest voltage in the world. T_N pressure is abnormal near 1 GPa. The reason for this is that the magnetic structure is abnormal. The magnetic field resistance under constant pressure is shown in the case where the magnetic field is parallel to the a-axis and the c-axis. c axis is parallel to the case of about 4T(=B_M), the magnetic shift is not connected to the flight. The pressure is low, the pressure is low, the pressure is high, the pressure is low, the pressure is high, the pressure is high, the pressure is high, The increase in T_N and the T_N and the increase in T_N and the increase in T_N and the T_N and the increase in T_N and the 2)High Pressure Synthesis of CeIn3 Antiferromagnetic Compounds CeIn3 Special Pressure Temperature Phase Difference for Magnetic Order and High Pressure Synthesis of CeIn3 Heavy Electronic Compounds The synthesis of these compounds was successfully carried out under high pressure and in the presence of a magnetic field. Optimization of cooling speed under different operating conditions The results show that the antiferromagnetic properties of the sample are measured after about a week. That is to say, the sample is unstable in crystallization, and the time is changed. In the future, the detailed working conditions will be stopped.

项目成果

期刊论文数量（73）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Ho_<1-x>Y_xNi_2B_2Cにおける超伝導転移点の異常な圧力効果

Ho_<1-x>Y_xNi_2B_2C超导转变点反常压力效应

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
G.Oomi;T.Kagayama;Y.Fuchizaki et al.;H.Miyagawa et al.;H.Akiyama et al.;S.Kaji et al.;T.Eto et al.;M.Ohashi et al.;K.Suenaga et al.;G.Oomi et al.;T.Sakai et al.;G.Oomi et al.;G.Oomi et al.;八板克仁等;大橋政司等;巨海玄道等
通讯作者：
巨海玄道等

近藤化合物 CeAu_2Si_2 の反強磁性に及ぼす圧力・磁場効果

压力和磁场对近藤化合物CeAu_2Si_2反铁磁性的影响

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
G.Oomi;T.Kagayama;Y.Fuchizaki et al.;H.Miyagawa et al.;H.Akiyama et al.;S.Kaji et al.;T.Eto et al.;M.Ohashi et al.;K.Suenaga et al.;G.Oomi et al.;T.Sakai et al.;G.Oomi et al.;G.Oomi et al.;八板克仁等;大橋政司等;巨海玄道等;八板克仁等;大村美央等
通讯作者：
大村美央等

極低温強磁場実験用圧力セルの開発

低温和强磁场实验用压力盒的研制