Oberflächensegregation, Teilchengröße und elektrische Eigenschaften dotierter oxidischer Feinstpulver

掺杂氧化细粉的表面偏析、粒径和电性能

• 批准号: 5086208
• 负责人: Dr. Günther Behr (†)
• 金额: --
• 依托单位: Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden (IFW) e.V.
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1997-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5086208?language=en
• 关键词: Oberfl; chensegregation; Teilchengr; und; elektrische

Ziel des Vorhabens ist die Aufklärung von Oberflächensegregation und Volumeneinbau der Dotierungselemente Sb, Nb, In und Mn in SnO2-Feinstpulvern in Abhängigkeit vom Herstellungsverfahren und den Glühbedingungen sowie die Trennung von thermodynamisch und verfahrensbedingt- kinetischen Oberflächensegregationseffekten durch Verfahrensvariation und Vergleich mit der Segregationsausbildung an Einkristallen, wozu die Herausarbeitung des Zusammenhanges zwischen den Darstellungsverfahren, Korngröße, Oberflächensegregation und elektrischen Eigenschaften der Feinstpulver notwendig ist. Außerdem sind die Ergebnisse auf anwendungsorientierte Modellsysteme zu übertragen. Die methodischen Arbeiten bei der XPS konzentrieren sich neben der verbesserten Eichung der Energieskala auf die Optimierung der Präparation der für die Methode relativ kleinen Einkristalle hinsichtlich Spalten und Wärmebehandlung. Desweiteren ist die Ermittlung von Konzentrations-Tiefenprofilverläufen im oberflächennahen Bereich durch experimentelle und rechentechnische Methoden und die Verbesserung unseres Modells zur Beschreibung der Dotierungsverteilung an der Oberfläche und im Pulverkorn vorgesehen.

在SnO 2-Fe_2O_3粉末中Sb、Nb、In、Mn等元素的富集和体积增大过程中，通过热处理和热处理过程中的热处理变化和热处理过程中的热处理过程，使SnO_2-Fe_2O_3粉末中Sb、Nb、In、Mn等元素的富集和体积增大，从而影响了SnO_2-Fe_2O_3粉末中Sb、Nb、In、Mn等元素的富集和体积增大。Oberflächensegregation und elektrischen Eigenschaften der Feinstpulver notwendig ist.这是一个面向对象的建模系统。Die methodischen Arbeiten bei der XPS conzentrieren sich neben der verbesserten Eichung der Energieskala auf die Optimierung der Präparation der fr die Method relativ kleinen Einkristalle hinsichtlich Spalten und Wärmebehandlung. Desweiteren is die Ermittlung von Konzentrations-Tiefenprofilverläufen im oberflächennahen Bereich durch experimentelle und rechentechnische Methoden und die Verbesserung unseres Models zur Beschreibung der Dotierungsvertailung an der Oberfläche und im Pulverkorn vorgesehen.