超高真空蒸着法によるイオン結晶, 半導体結晶表面の欠陥および核成長の研究
超高真空蒸着法によるイオン結晶, 半導体結晶表面の欠陥および核成長の研究
利用超高真空蒸发法研究离子晶体和半导体晶体表面的缺陷和核生长
批准号：
X42440-----51087
负责人：
永谷 隆
金额：
$0.15万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Particular Research
财政年份：
1967
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1967 至 --
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