スパッタリングによる半導体膜のエピタキシャルと応用
スパッタリングによる半導体膜のエピタキシャルと応用
溅射法外延制备半导体薄膜及其应用
批准号：
X44210------5080
负责人：
国岡 昭夫
金额：
$0.1万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1969
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1969 至 --
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会议论文
リン化インジウムMIS型ショットキ接触による太陽エネルギー変換に関する研究
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批准号：58045137
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项目类别：Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额：$1.02万
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财政年份：1983
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负责人：国岡 昭夫
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依托单位：
リン化インジウム・MIS型ショットキ接触による太陽エネルギー変換に関する研究
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批准号：57045101
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项目类别：Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额：$1.09万
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财政年份：1982
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负责人：国岡 昭夫
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依托单位：