Hexagonal NiS の金属-半導体遷移に関する研究
Hexagonal NiS の金属-半導体遷移に関する研究
六方NiS中金属-半导体转变的研究
批准号：
X45210------4040
负责人：
遠藤 三郎
金额：
$0.08万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1970
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1970 至 --
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CdIn_2S_4-In_2S_3 系の光電特性と発光機構に関する研究
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批准号：X00095----365007
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额：$0.28万
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财政年份：1978
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负责人：遠藤 三郎
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依托单位：
カルコゲナイド・スピネルの非線形導電機構に関する研究
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批准号：X00210----175019
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.22万
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财政年份：1976
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负责人：遠藤 三郎
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依托单位：
スピネル型半導体中の遷移金属イオンによる Phonon 散乱の研究
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批准号：X00210----774056
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.19万
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财政年份：1972
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负责人：遠藤 三郎
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依托单位：