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III, V族化合物半導体結晶の meltgrowth, 特に In Sb の完全結晶の育成とその成長機構

III, V族化合物半導体結晶の meltgrowth, 特に In Sb の完全結晶の育成とその成長機構
三、V族化合物半导体晶体的熔融生长,特别是InSb完美晶体的生长及其生长机制
批准号:
X00210----075429
负责人:
大野 勲夫
金额:
$0.21万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1975
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1975 至 --
关键词:

项目摘要

项目成果

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III V族化合物半導体結晶のmeltgrown特にInSbの完全結晶の育成とその成長機構の解明
  • 批准号:
    X00210----975013
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.19万
  • 财政年份:
    1974
  • 负责人:
    大野 勲夫
  • 依托单位:
真空雰囲気での n-InSb 単結晶作成
  • 批准号:
    X00210----775013
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.14万
  • 财政年份:
    1972
  • 负责人:
    大野 勲夫
  • 依托单位: