光電子放出効果を用いた非晶質半導体の電子構造の研究
光電子放出効果を用いた非晶質半導体の電子構造の研究
利用光电子发射效应研究非晶半导体的电子结构
批准号：
X00210----774044
负责人：
宮尾 正大
金额：
$0.19万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1972
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1972 至 --
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会议论文
負の電子親和力状態表面の微視的構造の研究
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批准号：07650028
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.47万
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财政年份：1995
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负责人：宮尾 正大
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依托单位：
高電流密度電子線源に用いる負の電子親和力GaAs光電子放出材料に関する研究
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批准号：62550011
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.34万
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财政年份：1987
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负责人：宮尾 正大
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依托单位：