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化合物半導体表面および薄膜成長と光IC用非線形デバイスに関する研究

化合物半導体表面および薄膜成長と光IC用非線形デバイスに関する研究
光学IC用化合物半导体表面和薄膜生长及非线性器件研究
批准号:
X00040----121104
负责人:
稲場 文男
金额:
$0.9万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份:
1976
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1976 至 --
关键词:

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3次元・高速高密度光エレクトロニクス混晶デバイスの研究
  • 批准号:
    60122001
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额:
    $1.92万
  • 财政年份:
    1985
  • 负责人:
    稲場 文男
  • 依托单位:
光コンピューターの基礎に関する総合的研究
  • 批准号:
    59350003
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
  • 资助金额:
    $1.98万
  • 财政年份:
    1984
  • 负责人:
    稲場 文男
  • 依托单位:
極微構造・高密度高速光機能デバイスの研究
  • 批准号:
    58109001
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额:
    $1.28万
  • 财政年份:
    1983
  • 负责人:
    稲場 文男
  • 依托单位:
モード同期半導体レーザーによるサブピコ秒超短光パルス発生と制御
  • 批准号:
    57420024
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
  • 资助金额:
    $14.59万
  • 财政年份:
    1982
  • 负责人:
    稲場 文男
  • 依托单位: