化合物半導体薄膜の分子線ヘテロエピタキシャル成長の研究
化合物半導体薄膜の分子線ヘテロエピタキシャル成長の研究
化合物半导体薄膜分子束异质外延生长研究
批准号：
X00040----220323
负责人：
金持 徹
金额：
$0.96万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1977
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1977 至 --
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会议论文
極高真空用超高感度真空計の陰極材料、形状および陰極周辺電極の改善に関する研究
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批准号：06650067
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1994
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负责人：金持 徹
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依托单位：
低速電子線回折と角度分解光電子分光による表面吸着構造の解析
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批准号：62609520
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额：$2.11万
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财政年份：1987
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负责人：金持 徹
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依托单位：
光電子の角度分解分光による単結晶表面及び蒸着極薄膜の研究
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批准号：57460055
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额：$4.42万
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财政年份：1982
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负责人：金持 徹
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依托单位：
極高真空用変調B‐Aゲージの開発
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批准号：57890024
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项目类别：Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额：$3.9万
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财政年份：1982
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负责人：金持 徹
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依托单位：
鉄清浄工ピタキシャル膜の形成ならびにその上での表面反応の研究
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批准号：X00090----955006
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.02万
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财政年份：1974
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负责人：金持 徹
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依托单位：