偏光解析法によるイオン注入光導波路最適製作条件の研究
偏光解析法によるイオン注入光導波路最適製作条件の研究
利用椭圆光度法研究离子注入光波导的最佳制造条件
批准号：
X00090----055183
负责人：
升田 公三
金额：
$1.31万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1975
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1975 至 1976
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会议论文
イオン衝突による固体励起の電子的過程の研究
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批准号：62102004
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项目类别：Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额：$11.39万
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财政年份：1985
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负责人：升田 公三
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依托单位：
新物質合成に関する重イオン注入
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批准号：X00040----220117
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项目类别：Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额：$3.2万
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财政年份：1977
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负责人：升田 公三
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依托单位：
新分質合成に関する重イオン注入装置の改良
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批准号：X00040----120918
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项目类别：Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额：$2.56万
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财政年份：1976
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负责人：升田 公三
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依托单位：
新物質合成に関する基礎的研究
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批准号：X00040----011605
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项目类别：Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额：$1.98万
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财政年份：1975
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负责人：升田 公三
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依托单位：
イオン注入半導体のESR(電子磁気共鳴)による研究
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批准号：X00090----855007
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$0.78万
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财政年份：1973
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负责人：升田 公三
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依托单位：
イオン注入法応用による化合物半導体の組成制御
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批准号：X00090----755005
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$0.64万
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财政年份：1972
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负责人：升田 公三
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依托单位：