课题基金 / 基金详情

GaAsの陽極酸化基礎過程とMOS界面特性の研究

GaAsの陽極酸化基礎過程とMOS界面特性の研究
GaAs阳极氧化基本工艺及MOS界面特性研究
批准号：
X00090----355013
负责人：
森谷 明弘
金额：
$0.9万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1978
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1978 至 1979
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-X00090----355013/
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エリプソメトリーの高速高分解能化とその応用
  • 批准号：
    59550031
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    1984
  • 负责人：
    森谷 明弘
  • 依托单位：
    Osaka University
エリプソメトリーの高速化
  • 批准号：
    58550030
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $0.45万
  • 财政年份：
    1983
  • 负责人：
    森谷 明弘
  • 依托单位：
    Osaka University
光音響分光法による層状半導体の陽極酸化膜成長過程の研究
  • 批准号：
    X00090----555008
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.22万
  • 财政年份：
    1980
  • 负责人：
    森谷 明弘
  • 依托单位：
    Osaka University
反射光変調分光法によるGaAs表面保護膜成長過程の研究
  • 批准号：
    X00095----265095
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
  • 资助金额：
    $0.3万
  • 财政年份：
    1977
  • 负责人：
    森谷 明弘
  • 依托单位：
    Osaka University