Si-SiO_2界面の光電子スペクトルに及ぼす電子線照射及び水素中熱処理の効果
Si-SiO_2界面の光電子スペクトルに及ぼす電子線照射及び水素中熱処理の効果
电子束辐照和氢气热处理对Si-SiO_2界面光电子能谱的影响
批准号：
X00090----555015
负责人：
服部 建雄
金额：
$1.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1980
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1980 至 --
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会议论文
光電子分光法による薄膜形成及びSi-SiO_2界面の構造に関する研究
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批准号：X00090----455009
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.54万
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财政年份：1979
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负责人：服部 建雄
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依托单位：