高磁束密度アモルファス合金の磁気損失と作製条件, アニールの効果
高磁束密度アモルファス合金の磁気損失と作製条件, アニールの効果
高磁通密度非晶合金的磁损耗和制造条件、退火的影响
批准号：
X00090----555013
负责人：
八田 真一郎
金额：
$1.22万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1980
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1980 至 --
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