GaPの電子線照射損傷の空間分布と光学的な性質
GaPの電子線照射損傷の空間分布と光学的な性質
批准号:
X00210----475219
负责人:
遠藤 民生
金额:
$0.45万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1979
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1979 至 --
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会议论文
高温超伝導/強磁性多層薄膜の作成と可変マイクロ波フィルター
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批准号:04F04331
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2004
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负责人:遠藤 民生
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依托单位:
高温超伝導薄膜の低磁場変調マイクロ波吸収とジョセフソンプラズマ共鳴
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批准号:98F00379
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1999
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负责人:遠藤 民生
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依托单位:
不純物と欠陥の導入による GaP 単結晶の伝導帯端の状態変化と局在性
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批准号:60750010
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1985
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负责人:遠藤 民生
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依托单位:
GaP結晶における高エネルギー電子線照射領域の光学的性質と損傷の高精度空間分布
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批准号:59750228
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1984
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负责人:遠藤 民生
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依托单位: