分子線エピタキシーを用いたショットキーダイオードの障壁形成機構の解明とその制御
分子線エピタキシーを用いたショットキーダイオードの障壁形成機構の解明とその制御
利用分子束外延阐明肖特基二极管势垒形成机制及其控制
批准号：
56750003
负责人：
谷口 光弘
金额：
$0.51万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1981
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1981 至 --
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会议论文
各種GaAs中の電子トラップの同定とその微視的構造の研究
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批准号：58750005
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.61万
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财政年份：1983
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负责人：谷口 光弘
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依托单位：