バクテリアリーチングの半導体光電気化学的研究

细菌浸出的半导体光电化学研究

• 批准号: 08751080
• 负责人: 廣吉 直樹
• 金额: $ 0.64万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08751080/
• 关键词: バクテリアリーチング; 黄銅鉱; 半導体; 電気化学; 電極電位の光応答

バクテリアリーチングの過程では、硫化鉱物表面の組成と半導体的性質が変化し、浸出速度にその影響が現れてくることが予想される。本研究の目的は、半導体光電気化学的手法により、バクテリアリーチングの過程における硫化鉱表面の半導体的性質の変化と浸出挙動の関係を明らかにすることである。本年度は、鉄酸化細菌を接種した硫酸鉄(II)溶液中に黄銅鉱電極を浸漬して電極電位の経時変化および光応答について調べ、つぎのような知見を得た。1)黄銅鉱電極電位は、主として溶液の酸化還元電位により決定され、鉄酸化細菌の作用で鉄(II)イオンが鉄(III)イオンへ酸化されて溶液電位が上昇するのに伴い高くなる。しかし、溶液電位が約0.68Vvs.SHE以上になるとほとんど上昇しなくなった。2)浸漬直後の黄銅鉱電極に光を照射すると、電極電位は負方向へ変化し、照射終了後、正方向へと変化した。このことは、鉱物内の電子のバンドのエネルギー準位が鉱物/溶液界面から鉱物内部に向かって低下していることを意味する。浸漬数時間後、黄銅鉱電極電位は、光照射と同時に瞬間的に正方向へ立ち上がった後、ゆるやかに下降し、照射終了後、正方向へ変化するようになった。光照射開始直後の立ち上がりは、溶液電位の上昇に伴い大きくなるが、溶液電位が約0.66Vvs.SHE以上になるとほとんど認められなくなった。以上のことから、黄銅鉱表面には内部とは異なる半導体層が形成され、溶液の酸化還元電位が0.66-0.68Vvs.SHE付近を境にその状態が変化するのではないかと推察される。

The process is very difficult, the surface of the vulcanized material is formed into a semi-solid, and the leaching speed is affected by the speed of leaching. In this study, the purpose of this study is to determine the effect of chemical techniques on the surface of sulfide. in this study, the purpose of this study is to determine the effect of hemispheric light on the surface of sulfide. in this study, the purpose of this study is to determine the effect of hemispheric light on the surface of the sulfide. This year, acidified bacteria have been exposed to sulfuric acid (II) solution in the presence of sulfuric acid. 1) the electrolytic potential of the solution is determined by acidizing, the acidizing effect of bacteria (II), the temperature of the acidified solution (III), the temperature of the solution, the temperature of the solution, and the temperature of the acidified solution. The temperature and solution potential are higher than 0.68Vvs.SHE. 2) after immersion, the temperature of the cathode radiation is reduced, the direction of the electrode potential is reduced, and the positive direction is changed after the exposure. The temperature at the interface of the device