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拡散誘起再結晶を利用して界面性格を制御した拡散型相変態の反応挙動

利用扩散诱导再结晶控制界面性质的扩散型相变反应行为

基本信息

批准号：
10136210
负责人：
梶原正憲
金额：
$ 1.22万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1998
资助国家：
日本
起止时间：
1998 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10136210/
关键词：
拡散型相変態粒界移動組織変化全率固溶体粒界拡散拡散対

项目摘要

過飽和固溶体相中の析出反応を利用した従来型の研究手法では困難であった拡散型相変態と界面・粒界移動に関する統一的な組織変化理論の構築に必要な基礎的知見の蓄積を目的として,拡散誘起再結晶(Diffusion Induced Rrcrystallization,略してDIR)をモデル反応として選定し,典型的な全率固溶二元合金系であるNi-Cu系に対しDIRにより生成する合金化微細結晶粒領域(DIR領域)の成長挙動を金属組織学および速度論の立場より実験的に観察した。すなわち,純度99.99%の純Cuおよび純度99.97%以上の純Niを溶解原料とし,O〜38mass%のCuを含むNi-Cu合金および0〜22mass%のNiを含むCu-Ni合金をk雰囲気中の高周波溶解法により溶製し,これらを組合わせてサンドイッチ状のCu/(Ni-Cu)/CuおよびNi/(Cu-Ni)/Ni拡散対等を作製し,723〜1123Kの温度範囲で最長144hの時効加熱処理を施した後,接合界面に垂直な面に沿って時効加熱拡散対を切断し切断面の金属組織を微分干渉型光学顕微鏡を用いて観察し接合界面に垂直な方向に沿った各成分の濃度分布をX線マイクロアナライザーにより定量した。その結果,上記の温度範囲では接合界面からNi相およびCu相に向かって組成の不連続に異なる微細結晶粒領域がDIRにより生成および成長するが,DIR領域は723〜823Kでは主にCu相側に向って成長し,873〜973KではCuおよびNi両相側に成長し,1023〜1173KではNi相側にのみ成長することを見い出した。また,DIR領域の厚さは反応時間のべき乗に比例して増加し,Cu母相のNi濃度およびNi母相のCu濃度が増加するとDIR領域の成長速度が減少することを明らかにした。

The precipitation reaction in supersaturated solid solution phase is difficult to utilize, and the phase transition interface and grain boundary movement are related to the construction of unified microstructure theory.(Diffusion Induced Rrcrystallization, abbreviated DIR) is a typical solid solution binary alloy system. Ni-Cu system is a typical solid solution binary alloy system. It is a typical solid solution binary alloy system. Pure Cu with purity of 99.99% or pure Ni with purity of 99.97% or more is dissolved in raw materials,O ~ 38mass% Cu, Ni-Cu alloy with Ni, 0 ~ 22mass% Ni, Cu-Ni alloy with Ni, K, K. 723 ~ 1123K temperature range up to 144 hours after the application of heat treatment, the bonding interface vertical plane along the time of heat dissipation, cut off the metal structure of the cut surface, differential interference optical microscope to observe the bonding interface vertical direction along the concentration distribution of each component, X-ray detection, quantitative analysis. As a result, in the temperature range described above, fine crystal grains were formed and grown in the DIR domain from 723 to 823K on the Cu phase side, from 873 to 973K on the Cu phase side, and from 1023 to 1173K on the Ni phase side. In addition, the ratio of the thickness of DIR domain to the reaction time increases, the Ni concentration of Cu parent phase increases, and the growth rate of DIR domain decreases.