中性子散乱によるアモルファス物質の低温熱容量異常の起源の解明
中性子散乱によるアモルファス物質の低温熱容量異常の起源の解明
通过中子散射阐明非晶材料低温热容异常的起源
批准号：
96J06485
负责人：
筑紫 格
金额：
$0.77万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
1998
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1998 至 --
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