超高圧力下におけるIII-VI族化合物半導体の層状-非層状構造相転移に関する研究
超高圧力下におけるIII-VI族化合物半導体の層状-非層状構造相転移に関する研究
批准号:
56540168
负责人:
黒田 規敬
金额:
$1.28万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1981
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1981 至 --
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光スピン整列効果による半導体の高密電子励起臨界現象の研究
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批准号:X00040----020209
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1975
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负责人:黒田 規敬
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依托单位: