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X線光電子回折法による GaAs のオーミック接触形成機構の研究
X射线光电子衍射法研究GaAs欧姆接触形成机理
基本信息
- 批准号：59550207
- 负责人：
- 金额：$ 0.7万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
- 财政年份：1984
- 资助国家：日本
- 起止时间：1984 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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