新超伝導物質合成技術の開発

新型超导材料合成技术开发

• 批准号: 60113006
• 负责人: 武居 文彦
• 金额: $ 28.03万
• 依托单位: Okazaki National Research Institutes
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Special Project Research
• 财政年份: 1985
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1985 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-60113006/
• 关键词: 超伝導物質; 合成; 状態制御; 結晶化技術

当班は(1)武居、(2)関沢、(3)小松、(4)小松原、(5)北沢、(6)青木、(7)後藤で研究した。(1)磁性超伝導体である希土類シェブレル化合物Ln【Mo_6】【S_8】の単結晶化に成功した。特にHo【Mo_6】【S_8】単結晶においては超伝導転移点1.6K、強磁性転移点0.6Kが初めて明瞭に観測され、単結晶試料では測定されないという定説を覆えした。これはHoの含量と直接関連する。(2)Lu-Ir系について構造と超伝導の関係を調べた。Lu【Ir_2】とIrとの共晶合金は約3Kで超伝導状態となるが、焼鈍によりその状態は消失する。超伝導Lu【Ir_2】-【Ir_2】共晶体におけるLu【Ir_2】の格子はかなり縮んでおり、このことと超伝導性とはよい対応を示す。(3)A15型【Nb_3】Sn単結晶を銅を溶剤とした溶液成長法で育成した。得られた単結晶(mmサイズ)の超伝導転移温度は銅の量に比例して上昇し(18.52→18.59)、他方、格子定数は減少する。(4)稠密近藤効果を示すCe【Cu_6】,Ce【Al_3】,Ce【Cu_2】【Si_2】の単結晶を育成しその物性値を決定した。また固溶体系結晶Cex【La_(1-x)】【Cu_6】について不純物効果を調べた。その結果近藤温度はXに独立で3〜6Kであることがわかった。Ce【Cu_6】等では0.2〜0.7Kで近藤-バンド転移がある。(5)有機金属気相分解装置を試作し、それによりAl-Si系及びV-Al系膜をサファイア基板上に作り、電気的性質を測定した。Al-Si系ではAl過剰側で2K以下に超伝導転移を持つものが見出された。V-Al系では金属一半導体転移が〜6Kで見出された。(6)超伝導半導体PbTeの単結晶薄膜をBa【F_2】単結晶基板上に作成した。この膜についてX線回折、Al-【Al_2】【O_3】-PbTe多層膜によるトンネル効果等を用いて評価を行ない、結晶性、電子濃度等を決定した。(7)熔融紡糸法によりPb-Bi-Su,Pb-Bi-In等の低融点合金細線を作り、その超伝導性と構造との関係を調べた。その結果Biとε相との共存状態が転移温度を1.5K以上上昇させることが判明した。

は on duty wu ju (1), (2) masato ohsawa, komatsu (3), (4) komatsu, (5) north ohsawa, aoki (6), (7) after the cane で research し た. (1) The magnetic super伝 conductor である and the earth-like シェブレ compound Ln [Mo_6] [S_8] <s:1> 単 have successfully crystallized に and <s:1> た. Special に Ho Mo_6 単 S_8 】 【 】 crystallization に お い て は super 伝 guide planning to move some 1.6 K, and strong magnetic planning to move at the beginning of 0.6 K が め て clear に 観 measuring さ れ, 単 crystallization sample で は determination さ れ な い と い う DingShui を fu え し た. The content of <s:1> れ れ Ho <s:1> is と directly related to する. (2) The Lu-Ir system is に, に, て, て, constructs と, super伝 conductive rods, and relates to を modulation べた. Lu と Ir_2 】 【 Ir と の eutectic alloy は about 3 k で super 伝 guide state と な る が, 焼 blunt に よ り そ の state は disappear す る. Super 伝 guide Lu Ir_2 - eutectic Ir_2 】 【 】 に お け る Lu の Ir_2 】 【 grid は か な り shrinkage ん で お り, こ の こ と と super 伝 conductivity と は よ い 応 seaborne を す. (3)A15 type [Nb_3] Sn単 crystallization を copper を solvent と <s:1> た solution growth method で developed た. Have ら れ た 単 crystallization (mm サ イ ズ) の super 伝 guide planning move temperature は copper に の quantity proportion し て rise し (18.52-18.59), the other party, lattice constant は reduce す る. (4) The dense Kondo effect を indicates that すCe [Cu_6],Ce [Al_3],Ce [Cu_2], [Si_2] <s:1> 単 crystallization を is formed by <s:1> そ <s:1> physical property values を determine た た. Youdaoplaceholder0 solid solution system crystals Cex [La_(1-x)] [Cu_6] に て て impure effect を adjustment べた. Youdaoplaceholder0 そ the result shows that the Kondo temperature に Xに is independent で3 to 6Kである とがわ とがわ った った. Ce [Cu_6] et al. Youdaoplaceholder0 で 0.2-0.7Kで kondo -バ バ ド転 shift がある. Device (5) organic metal 気 phase decomposition を try し, そ れ に よ り Al - Si - Al and び V mesangial を サ フ ァ イ ア substrate に as り, determination of the nature of the electric 気 を し た. In the al-si system, で で Al passes through で2K and below に super伝 conduction 転, を is held, and が で が が が が is seen as された. The V-Al series で で metal-semiconductor 転 is shifted from が to 6Kで to see された. (6) The に of the super伝 conductive semiconductor PbTe <s:1> 単 crystalline film をBa [F_2] 単 crystalline substrate is fabricated as た た. こ の membrane に つ い て X-ray inflexion, Al - [Al_2] [O_3] - PbTe multilayer に よ る ト ン ネ ル unseen fruit such as を with い て review 価 を line な い, crystalline, electronic concentration を decided し た. (7) si melt spinning method に よ り Pb - Bi - Su, Pb Bi - such as In の を り, low melting point alloy thin line そ の super 伝 conductivity と tectonic と の masato is を adjustable べ た. The そ <s:1> result shows that the Biとε phase と <s:1> coexisting state が転 shifts, and the temperature rises above を1.5K させる させる とが, indicating that the た is determined.

项目成果

Japan.J.Appl.Phys.25-3. (1986)

日本应用物理杂志 25-3。

Jpn.J.Appl.Phys.25-1. (1986)

Jpn.J.Appl.Phys.25-1。

Physical Reuiew. B32-10. (1985)

物理评论。

J.Mag.Mag.Materials. 52. (1985)

J.Mag.Mag.材料。